Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
προϊόντα
προϊόντα
Σπίτι > προϊόντα > Μονούλες IGBT EasyPIM > 1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αριθμό μοντέλου: SPS15P12W1M4

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM

,

1200V 15A IGBT PIM

,

Προσαρμοσμένο IGBT PIM

Ρεύμα συλλεκτών:
100A
Τάση εκπομπών συλλεκτών:
1200V
Τρέχων:
100A
Δαπάνη εκδότης πύλης:
120nC
Αντίσταση εκπομπής πύλης:
1.5Ω
Τάση εκπομπών πυλών:
±20V
Μοντέλο βάρους:
200G
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40°C σε +150°C
Τύπος συσκευασίας:
EasyPIM
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης:
50ns
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:
10 μs
συχνότητα εναλλαγής:
20KHZ
Θερμική αντοχή:
0.1°C/W
Τετάρτη:
1200V
Ονομασία προϊόντος:
Διοδηγός IGBT μονάδα, IGBT μονάδα τρανζίστορ, μονάδα Igbt μονάδα
Ρεύμα συλλεκτών:
100A
Τάση εκπομπών συλλεκτών:
1200V
Τρέχων:
100A
Δαπάνη εκδότης πύλης:
120nC
Αντίσταση εκπομπής πύλης:
1.5Ω
Τάση εκπομπών πυλών:
±20V
Μοντέλο βάρους:
200G
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40°C σε +150°C
Τύπος συσκευασίας:
EasyPIM
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης:
50ns
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:
10 μs
συχνότητα εναλλαγής:
20KHZ
Θερμική αντοχή:
0.1°C/W
Τετάρτη:
1200V
Ονομασία προϊόντος:
Διοδηγός IGBT μονάδα, IGBT μονάδα τρανζίστορ, μονάδα Igbt μονάδα
1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

Σκληρή ισχύς-DS-SPS15P12W1M4-S040600003

 

 

1200V 15Α IGBT PIM Μονάδα

 

1200V 15Α IGBT PIM 

 

 

 1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 0

 

Χαρακτηριστικά:

 

Π 1200V τεχνολογία Trench+ Field Stop

□ Δίοδοι ελεύθερης τροχιάς με γρήγορη και απαλή ανάκτηση

□ VCE(sat)με θετικό συντελεστή θερμοκρασίας

□ Μικρές απώλειες μετάλλαξης

□ Δυνατότητα βραχυκύκλωσης

 

 

Τυπικό Εφαρμογές: 

 

□ Σερβοκινητήρες

□ Μετατροπείς

□ Μετατροπείς

 

 

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 1

Πακέτο 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα

Η τάση δοκιμής απομόνωσης

ΒΙΣΟΛ RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

2.5

kV

Εσωτερική απομόνωση

 

(κλάση 1, IEC 61140)

Βασική μόνωση (κλάση 1, IEC 61140)

Αλ2Ο3

 

Απόσταση έλξης

Κρίπ Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα 11.5

χμ

Κρίπ από τερματικό σε τερματικό 6.3

Αδειοδότηση

dΚαθαρή Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα 10.0

χμ

dΚαθαρή από τερματικό σε τερματικό 5.0

Συγκριτικός δείκτης παρακολούθησης

ΚΤΠ  

> 200

 
   
Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα
- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

Μονάδα παραστρατημένης επαγωγικότητας

ΕΛΣΕ    

30

 

nH

Αντίσταση μολύβδου μονάδας, τερματικά - τσιπ

RCC+EE   ΤΓ= 25°C   8.00  

RAA+CC 6.00

Θέρμανση αποθήκευσης

Tstg  

-40

 

125

°C

Δύναμη τοποθέτησης ανά λαμπτήρα

F  

20

 

50

N

Βάρος

G    

23

 

g

 

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 2

IGBT,/IGBT, μετατροπέας

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα

Δυνατότητα συλλέκτη-εκδότη

ΕΣΕΣ   Τvj= 25°C

1200

V

Μέγιστη τάση εκπομπής πύλης

ΒΓΕΣ  

±20

V

Τροποποιημένη τάση πύλης-εκδότη

ΒΓΕΣ tp≤ 10μs, D=0.01

±30

V

Συνεχή ρεύμα συνεχούς ρεύματος συλλέκτη

Εγώ...Γ   ΤΓ= 25°C 20

Α

ΤΓ= 80°C 15

Πυκνωμένο ρεύμα συλλέκτη,tp περιορισμένο από Tjmax

ICpulse  

30

Α

Απορρόφηση ισχύος

Πtot  

130

W

 

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 3

Χαρακτηριστικό Αξίες 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα
- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

Η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκδότη

VCE(sat) Εγώ...Γ=15A, VΓενικά=15V Τvj= 25°C   1.95 2.40

V

Τvj= 125°C   2.46  
Τvj= 150°C   2.54  

Δυναμική τάση κατώτατης τάσης

ΕΠΕ (η) VCE= VΓενικάΕγώ...Γ= 0,48mA

5.1

5.7

6.3

V

Δράση διακοπής συλλέκτη-εκδότη

ICES VCE=1200V, VΓενικά=0V Τvj= 25°C     100 μA
Τvj= 150°C     5 mA

ρεύμα διαρροής από τον εκδότη πύλης

ΙΓΕΣ VCE=0V,VΓενικά=±20V, Tvj= 25°C

-100

 

100

Χρέωση πύλης

QG VCE=600V, IΓ= 15A, VΓενικά=±15V   0.1   μC

Εισαγωγική χωρητικότητα

Σημεία VCE= 25V, VΓενικά=0V, f =1MHz   0.9  

nF

Αντίστροφη μεταφοράς χωρητικότητας

Κρέας   0.04  

Εσωτερική αντίσταση πύλης

RGint Τvj= 25°C   0   Ω

Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο

Επικαιροποιημένο VCC= 600V,IΓ=15A RG=40Ω VΓενικά=±15V Τvj= 25°C   46   σ
Τvj= 125°C   42   σ
Τvj= 150°C   44   σ

Χρόνος άνοδος, επαγωγικό φορτίο

tr Τvj= 25°C   38   σ
Τvj= 125°C   41   σ
Τvj= 150°C   39   σ

Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο

ΔΕΔ (εκκλεισμός) VCC= 600V,IΓ=15A RG=40Ω VΓενικά=±15V Τvj= 25°C   215   σ
Τvj= 125°C   249   σ
Τvj= 150°C   259   σ

Ώρα πτώσης, επαγωγικό φορτίο

tf Τvj= 25°C   196   σ
Τvj= 125°C   221   σ
Τvj= 150°C   203   σ

Απώλεια ενέργειας ανά παλμό

Εων VCC= 600V,IΓ=15A RG=40Ω VΓενικά=±15V Τvj= 25°C   1.57   mJ
Τvj= 125°C   2.12   mJ
Τvj= 150°C   2.25   mJ

Απενεργοποιήστε την απώλεια ενέργειας ανά παλμό

Εφ Τvj= 25°C   0.89   mJ
Τvj= 125°C   1.07   mJ
Τvj= 150°C   1.16   mJ

Δεδομένα SC

ΕΣΚ VΓενικά≤ 15V, VCC=800V tp≤10μs Tvj= 150°C  

70

 

Α

Θερμική αντίσταση IGBT, θήκη σύνδεσης

RthJC       1.15 Κ / Δ

Θερμοκρασία λειτουργίας

TJop   -40   150 °C

 

 

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 4

Διοδή, μετατροπέας. 

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα

Επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση

VRRM   Τvj= 25°C

1200

V

Συνεχή συνεχής τάση προς τα εμπρός

Εγώ...F  

15

Α

Διοδικό παλμικό ρεύμα,tp περιορισμένο από TJmax

IFpulse  

30

Εγώ...2τιμή t

Εγώ...2t tp=10 ms Τvj= 125°C

136

Α2σ

 

Χαρακτηριστικό Αξίες

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα
- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

Προχωρημένη τάση

VF Εγώ...F= 15A, VΓενικά=0V Τvj= 25°C   1.60 2.10

V

Τvj= 125°C   1.75  
Τvj= 150°C   1.78  

Πιο υψηλό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης

ΔΕΔΜ

Εγώ...F=15A

ΔΙF/dt=-250A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600V,

VΓενικά=-15V

Τvj= 25°C   13  

Α

Τvj= 125°C 15
Τvj= 150°C 17

Επιστροφή των τελών ανάκτησης

Επικαιροποίηση Τvj= 25°C   1.87  

μC

Τvj= 125°C 3.33
Τvj= 150°C 3.82

Απώλεια ενέργειας αντιστροφής ανά παλμό

Ερέκ Τvj= 25°C   0.70  

mJ

Τvj= 125°C 1.28
Τvj= 150°C 1.45

Θερμική αντίσταση διόδου, θήκη σύνδεσης

RthJCD      

1.90

Κ / Δ

 

Θερμοκρασία λειτουργίας

TJop  

-40

 

150

°C

 

Διοδίου, διορθωτή 

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα

Επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση

VRRM   Τvj= 25°C

1600

V

Μέγιστο προωθητικό ρεύμα RMS ανά τσιπ ΔΕΣΜΕΔ   ΤΓ= 80°C

16

Α

Μέγιστο ρεύμα RMS στην έξοδο του ευθυγραμμιστή

IRMSM   ΤΓ= 80°C

16

Τρέχοντας προς τα εμπρός

ΔΕΔΜ tp=10ms Τvj= 25°C

190

I2t - αξία

Εγώ...2t tp=10ms Τvj= 25°C

181

Α2σ

 

Χαρακτηριστικό Αξίες 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα
- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

Προχωρημένη τάση

VF Εγώ...F=15A Τvj= 25°C  

0.95

 

V

Αντίστροφο ρεύμα

Εγώ...R VR=1600V Τvj= 25°C    

5

μA

Θερμική αντίσταση διόδου, θήκη σύνδεσης

RthJCD      

1.50

Κ / Δ

Θερμοκρασία λειτουργίας

TJop  

-40

 

150

°C

 

IGBT, φρενάρισμα/IGBT

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα

Δυνατότητα συλλέκτη-εκδότη

ΕΣΕΣ   Τvj= 25°C

1200

V

Μέγιστη τάση εκπομπής πύλης

ΒΓΕΣ  

±20

V

Τροποποιημένη τάση πύλης-εκδότη

ΒΓΕΣ tp≤ 10μs, D=0.01

±30

V

Συνεχή ρεύμα συνεχούς ρεύματος συλλέκτη

Εγώ...Γ   ΤΓ= 80°C

15

Α

Πυκνωμένο ρεύμα συλλέκτη,tp περιορισμένο από Tjmax

ICpulse  

30

Α

Απορρόφηση ισχύος

Πtot  

130

W

 

IGBT, φρενάρισμα/IGBT

Χαρακτηριστικό Αξίες

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα
- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

Η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκδότη

VCE(sat) Εγώ...Γ=15A, VΓενικά=15V Τvj= 25°C   2.08 2.50

V

Τvj= 125°C   2.37  
Τvj= 150°C   2.45  

Δυναμική τάση κατώτατης τάσης

ΕΠΕ (η) VCE= VΓενικάΕγώ...Γ= 0,48mA

5.1

5.7

6.3

V

Δράση διακοπής συλλέκτη-εκδότη

ICES VCE=1200V, VΓενικά=0V Τvj= 25°C     100 μA
Τvj= 150°C     5 mA

ρεύμα διαρροής από τον εκδότη πύλης

ΙΓΕΣ VCE=0V,VΓενικά=±20V, Tvj= 25°C

-100

 

100

Χρέωση πύλης

QG VCE=600V, IΓ= 15A, VΓενικά=±15V   0.1   μC

Εισαγωγική χωρητικότητα

Σημεία VCE= 25V, VΓενικά=0V, f =1MHz   0.86  

nF

Αντίστροφη μεταφοράς χωρητικότητας

Κρέας   0.02  

Εσωτερική αντίσταση πύλης

RGint Τvj= 25°C   0   Ω

Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο

Επικαιροποιημένο VCC= 600V,IΓ=15A RG=40Ω VΓενικά=±15V Τvj= 25°C   51   σ
Τvj= 125°C   47   σ
Τvj= 150°C   40   σ

Χρόνος άνοδος, επαγωγικό φορτίο

tr Τvj= 25°C   44   σ
Τvj= 125°C   48   σ
Τvj= 150°C   56   σ

Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο

ΔΕΔ (εκκλεισμός) VCC= 600V,IΓ=15A RG=40Ω VΓενικά=±15V Τvj= 25°C   216   σ
Τvj= 125°C   254   σ
Τvj= 150°C   262   σ

Ώρα πτώσης, επαγωγικό φορτίο

tf Τvj= 25°C   194   σ
Τvj= 125°C   213   σ
Τvj= 150°C   219   σ

Απώλεια ενέργειας ανά παλμό

Εων VCC= 600V,IΓ=15A RG=40Ω VΓενικά=±15V Τvj= 25°C   0.92   mJ
Τvj= 125°C   1.21   mJ
Τvj= 150°C   1.31   mJ

Απενεργοποιήστε την απώλεια ενέργειας ανά παλμό

Εφ Τvj= 25°C   0.88   mJ
Τvj= 125°C   1.11   mJ
Τvj= 150°C   1.15   mJ

Θερμική αντίσταση IGBT, θήκη σύνδεσης

RthJC       1.15 Κ / Δ

Θερμοκρασία λειτουργίας

TJop   -40   150 °C

 

 

Διοδίου, φρένο-ελικόπτερο

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα

Επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση

VRRM   Τvj= 25°C

1200

V

Συνεχή συνεχής τάση προς τα εμπρός

Εγώ...F  

8

Α

Διοδικό παλμικό ρεύμα,tp περιορισμένο από TJmax

IFpulse  

16

Εγώ...2τιμή t

Εγώ...2t tp=10 ms Τvj= 125°C

25

Α2σ

 

Χαρακτηριστικό Αξίες 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα
- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

Προχωρημένη τάση

VF Εγώ...F= 8A, VΓενικά=0V Τvj= 25°C   1.88 2.40

 

V

Τvj= 125°C   1.96  
Τvj= 150°C   1.90  

Πιο υψηλό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης

ΔΕΔΜ

Εγώ...F=8Α

ΔΙF/dt=-200A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600V,

VΓενικά=-15V

Τvj= 25°C   6  

Α

Τvj= 125°C 7
Τvj= 150°C 8

Επιστροφή των τελών ανάκτησης

Επικαιροποίηση Τvj= 25°C   0.68  

μC

Τvj= 125°C 1.22
Τvj= 150°C 1.32

Απώλεια ενέργειας αντιστροφής ανά παλμό

Ερέκ Τvj= 25°C   0.27  

mJ

Τvj= 125°C 0.49
Τvj= 150°C 0.53

 

Θερμική αντίσταση διόδου, θήκη σύνδεσης

RthJCD      

1.90

Κ/Δ

 

Θερμοκρασία λειτουργίας

TJop  

-40

 

150

°C

 

Ο θερμοστάτης NTC

Χαρακτηριστικό Αξίες 

Άρθρο Σύμβολο Προϋποθέσεις Αξίες Μονάδα

Καθορισμένη αντίσταση

R25   ΤΓ= 25°C

5.00

Αξία Β

R25/50  

3375

Κ

 

 

 

 

IGBT IGBT

Αποδόσεις χαρακτηριστικό Δοκιμαστικό σύστημα IGBT, Inverter (συνηθισμένο) χαρακτηριστικό IGBT, μετατροπέας (συνηθισμένο)

Εγώ...Γ= f (VCE) ΙΓ= f (VCE) Τvj= 150°C

 

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 5

 

 

 

 

IGBT IGBT

Μεταφορά χαρακτηριστικό IGBT, Inverter (τυπικό) Διακόπτης απώλειες IGBT, μετατροπέας (τυπικό)

Εγώ...Γ= f (VΓενικά) Ε = f (RG)

VCE= 20V VΓενικά= ±15V, IΓ= 15A, VCE= 600V

                                                                                                 

 1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 6

 

 

IGBT IGBT,(Επενδύσεις σε αεροσκάφη)

Ανταλλαγή απώλειες IGBT, μετατροπέας(Τυπικό) Πίσω Προορισμός Ασφαλές λειτουργία Περιοχή IGBT, Inverter ((RBSOA)

E = f (IΓ) ΙΓ=f (VCE)

VΓενικά= ±15V, RG= 40Ω, VCE= 600V VΓενικά= ±15V, RΓκοφ.= 40Ω, Tvj= 150°C

 

  1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 7

 

IGBT

Περνές θερμική αντίσταση IGBT, μετατροπέας μπροστά χαρακτηριστικό του Διοδή, μετατροπέας. (τυπικό)

Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)

 

    1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 8

 

 

 

Ανταλλαγή απώλειες Δίοδος, μετατροπέας (συνηθισμένο) απώλειες Δίοδος, μετατροπέας (συνηθισμένο)

ΕRec= f (RG) ΕRec= f (IF)

Εγώ...F= 15A, VCE= 600V RG= 40Ω, VCE= 600V

 

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 9

 

 

Περνές θερμική αντίσταση Διοδή, μετατροπέας προς τα εμπρός χαρακτηριστικό του Διοδίου, διορθωτή (τυπικό)

Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)

 

                                                                                  

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 10

 

                                                                               

IGBT

 Αποδόσεις χαρακτηριστικό, φρένο-ελικόπτερο ((τυπικό) Μπροστά χαρακτηριστικό του Διοδίου, φρένο-ελικόπτερο (τυπικό)

Εγώ...Γ= f (VCE) ΙF= f (VF)

 

      1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 11

                                      

 

Θέρμανση θερμοστάτη NTC χαρακτηριστικό (τυπικό)

R = f (T)

 

    1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 12

 

 

"IGBT 15A 1200V" αναφέρεται σε διπολικό τρανζίστορ με μονωμένη πύλη με ονομαστικό ρεύμα 15 αμπερών και ονομαστική τάση 1200 βολτ.Αυτός ο τύπος IGBT είναι κατάλληλος για εφαρμογές με μέτρια ισχύ, όπως οικιακές συσκευές, μικρές κινητήρες και μετατροπείς χαμηλής ισχύος.και ειδικές τεχνικές προδιαγραφές και οδηγίες χρήσης μπορούν να βρεθούν στο δελτίο δεδομένων του κατασκευαστή με βάση τις ειδικές απαιτήσεις εφαρμογής.

 

 

Κύκλος διάγραμμα τίτλος 

 

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 13

 

Πακέτο περιγράμματα 

 

 

1200V 15A μονάδες IGBT EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 14

 

 

 

Μέγεθος σε χιλιοστά

χμ

Παρόμοια προϊόντα