προϊόντα

Σπίτι > προϊόντα > Υβριδικά διακριτά SiC > Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM

Κατηγορίες

Διακριτικό IGBT

(2)

Επαφές

Επαφές: Mr. Zhou

Τηλεφώνημα: 86-1360-528-8329

Επικοινωνήστε τώρα

Μας ταχυδρομήστε

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM

Name: Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM
Brand: Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM
SKU: SPS75MA12E4S
Rating: 4.7 (138 reviews)

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αριθμό μοντέλου: SPS75MA12E4S

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή του προϊόντος

Επισημαίνω: 
                                                Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet, OEM Υψηλής τάσης Sic Mosfet, OEM Automotive Sic Mosfet
                              

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM

Στερεά ισχύος DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0.

1200V 75mΩ SiC MOSFET

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM 0

Χαρακτηριστικά:

□ Υψηλή τάση αποκλεισμού με χαμηλή αντίσταση ανάφλεξης

□ Σύνδεση υψηλής ταχύτητας με χαμηλή χωρητικότητα

□ Γρήγορη εσωτερική διόδης με χαμηλή αντιστροφή ανάκτησης (Qrr)

Τυπικό Εφαρμογές:

□ Φωτοβολταϊκοί μετατροπείς

□ Πύλες φόρτισης

□ Συστήματα αποθήκευσης ενέργειας

□ Βιομηχανική παροχή ενέργειας

□ Βιομηχανικοί κινητήρες

Μέγιστο Αξιολογήσεις @Tc=25°C (εκτός εάν Διαφορετικά καθορίζεται)

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις	Αξίες	Μονάδα
Η τάση της πηγής αποχέτευσης	VDSmax	Δοκιμαστική ισχύς	1200	V
Η τάση πύλης πύλης	VGSop	Στατική	-5/+20	V
Μέγιστη τάση πύλης πύλης	VGSmax	Στατική	-8/+22	V
Συνεχής ροή αποχέτευσης	Ταυτότητα	Δοκιμαστικό σύστημα	47	Α
Συνεχής ροή αποχέτευσης	Ταυτότητα	Δοκιμαστικό σύστημα	33
Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης	Δείκτης (πυρ)	Διάμετρος παλμού tp περιορισμένο από Tjmax	70	Α
Καταπολέμηση της εξουσίας	Π.Δ.	TC=25.C, Tj=175°C	288	W
Πεδίο λειτουργίας διασταύρωσης	Tj		-55 έως +175	°C
Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης	Tstg		-55 έως +175	°C

Ηλεκτρική Χαρακτηριστικά @Tc=25°C (εκτός εάν Διαφορετικά καθορίζεται)

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις	Αξίες ελάχιστο. Τύπος. Μαξ.			Μονάδα
Η τάση διακοπής της πηγής αποχέτευσης	V ((BR) DSS	Δοκιμαστική ισχύς	1200	-	-	V
Δυναμική τάση κατώτατης τάσης	ΔΕΣ (η)	VDS=VGS, ID=5mA	2.0	2.8	3.5	V
Δυναμική τάση κατώτατης τάσης	ΔΕΣ (η)	Δοκιμαστική ικανότητα	-	1.9	-	V
Τρέμα αποχέτευσης τάσης μηδενικής πύλης	ΙΔΣΣ	Δοκιμαστική ισχύς	-	1	100	μA
ρεύμα διαρροής πύλης πύλης	ΓΓΣΣ	Δοκιμαστικό σύστημα	-	10	100	nΑ
Αντίσταση στην κατάσταση της πηγής αποστράγγισης	RDS(ενεργοποιημένο)	Δοκιμαστικό σύστημα	-	75	90	mΩ
		Δοκιμαστική ενέργεια	-	133	-
		Δοκιμαστικό σύστημα	-	82	120
		Δοκιμαστική ενέργεια	-	137	-
Μεταγωγικότητα	γφς	Δοκιμαστική ισχύς	-	10	-	S
Μεταγωγικότητα	γφς	Δοκιμαστική ισχύς	-	11	-	S
Ενέργεια ενεργοποίησης διακόπτη (FWD)	Εων	Δοκιμαστική ενέργεια για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας από ηλεκτρικό ρεύμα FWD=SPS75MA12E4S	-	343	-	μJ
Ενέργεια διακόπτη σβήσης (FWD)	Εφ		-	97	-	μJ
Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	Επικαιροποιημένο	Δοκιμαστική ενέργεια για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών	-	6	-	σ
Ώρα ανάδυσης.	Τρ		-	22	-
Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης	ΔΕΔ (εκκλεισμός)		-	20	-
Ώρα πτώσης	Τφ		-	10	-
Χρέωση πύλης προς πύλη	Qgs	Δοκιμαστικό σύστημα	-	35	-	nC
Πύλη προς φορτίο αποχέτευσης	Qgd		-	35	-
Πύλη προς φορτίο αποχέτευσης	Qgd		-	25	-
Συνολική χρέωση πύλης	Qg		-	87	-
Εισαγωγική χωρητικότητα	Σις	Το VGS=0V, το VDS=1000V f=1MHz, το VAC=25mV	-	1450	-	pF
Δυνατότητα παραγωγής	Κος		-	66	-
Αντίστροφη μεταφοράς χωρητικότητας	Κρσ		-	13	-
COSS Αποθηκευμένη ενέργεια	Εωσ		-	40	-	μJ
Αντίσταση εσωτερικής πύλης	RG(int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	2.4	-	Ω

Πίσω Διοδή Χαρακτηριστικά @Tc=25°C (εκτός εάν Διαφορετικά καθορίζεται)

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις	ελάχιστο.	Αξίες Τύπος.	Μαξ.	Μονάδα
Προωθητική τάση διόδου	ΔΕΠ	Δοκιμαστική ισχύς	-	4.9	7	V
Προωθητική τάση διόδου	ΔΕΠ	Δοκιμαστική ενέργεια	-	4.0	-	V
Συνεχή προωθητικό ρεύμα διόδου	ΕΙ	VGS=-5V	-	46	-	Α
Χρόνος ανάκαμψης	trr	VGS=-5V,	-	22	-	σ
Χρέωση αντιστροφής ανάκτησης	Qrr	ISD=20A,	-	397	-	nC
Πιο υψηλό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης	Ιρρμ	VR=800V, di/dt=3000A/μs	-	29	-	Α

Πίσω Διοδή Χαρακτηριστικά @Tc=25°C (εκτός εάν Διαφορετικά καθορίζεται)

Άρθρο Σύμβολο		Προϋποθέσεις	Αξίες Μονάδα
Θερμική αντίσταση από τη διασταύρωση στην θήκη	RθJC		-	0.5	-	°C/W

Τυπικό Απόδοση

Τυπικό Απόδοση

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM 9

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM 10

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM 11

Τυπικό Απόδοση

Πρόκειται για μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικόΤα SiC MOSFET είναι γνωστά για την ικανότητα υψηλής τάσης και τη χαμηλή αντίσταση σε κατάσταση λειτουργίας, καθιστώντας τα κατάλληλα για εφαρμογές ηλεκτρονικής ενέργειας με υψηλή απόδοση, όπως μετατροπείς υψηλής συχνότητας και ηλεκτρικά οχήματα.Η αντίσταση 75mΩ σε κατάσταση λειτουργίας δείχνει σχετικά χαμηλές απώλειες ισχύος κατά τη διάρκεια της αγωγής, συμβάλλοντας στη βελτίωση της αποδοτικότητας σε εφαρμογές υψηλής ισχύος.

Πακέτο Σχεδιασμός: ΤΟ-247-4L

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM 16

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM 17

Tags:

Μονούλες IGBT 34mm

Μονούλες IGBT 62mm

Μονούλες IGBT EconoDual3

Μονούλες IGBT EasyPIM

Μονούλες IGBT EconoPack

Μονούλες IGBT EconoPIM

Μοδούλες αυτοκινήτων

Υβριδικά διακριτά SiC

Mosfet ιδιαίτερο

Διακριτικό IGBT

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM