Σκληρή ισχύς-DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

1500V 3A N-Channel MOS διακριτικό

1500V 3Α MOSFET 

Χαρακτηριστικά:

• Γρήγορη αλλαγή
• Χαμηλή αντίσταση ON
• Χαμηλή φόρτιση πύλης Ελαχιστοποιήστε την απώλεια μετάβασης
• Δίοδος σώματος ταχείας ανάκτησης

Τυπικό Εφαρμογές:

• Διορθωτής
• Φορτιστή
• Δύναμη αναμονής SMPS

Κανονικοποιημένη πηγή αποστράγγισης επί της αντίστασης

RDSon(P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS) Tvj=25°C

Δοκιμαστικό σύστημα

MOSFET

Προχωρητικό χαρακτηριστικό του χαρακτηριστικού φόρτισης διάδοσης διόδου MOSFET

Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή εφαρμόζεται σε όλα τα κράτη μέλη.

Το VDS=750V, το IDS=3A, το Tvj=25°C

MOSFET

Χαρακτηριστικό χωρητικότητας MOSFET Μέγιστη διάσπαση ισχύος

C=f(VDS) PD=f(TC)

Δοκιμαστική ενέργεια

Μέγιστη ροή ρεύματος αποστράγγισης προς τα εμπρός (FBSOA)

ID=f(TC)

MOSFET

Τελευταία θερμική αντίσταση MOSFET

Δοκιμαστική μονάδα

Πρόκειται για ένα διακριτό N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) με ονομαστική τάση 1500V και ονομαστικό ρεύμα 3A.Τα N-Channel MOSFETs είναι κοινώς χρησιμοποιούμενα ημιαγωγικά συστήματα σε διάφορες ηλεκτρονικές εφαρμογέςΤο 1500V υποδηλώνει τη μέγιστη τάση που μπορεί να χειριστεί η συσκευή, ενώ το 3A αντιπροσωπεύει το μέγιστο ρεύμα που μπορεί να φιλοξενήσει.Σε ειδικές εφαρμογέςΓια να εξασφαλιστεί η αξιοπιστία και η απόδοση του MOSFET, πρέπει να εξετάζονται τα κατάλληλα κυκλώματα κίνησης και η διάχυση θερμότητας.