1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

IGBT, Αντιστροφέας / IGBT,逆变器

Ανώτατο όριο Βαθμολογημένες Αξίες/ 最大额定值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

αξία

Μονάδες

集电极－发射极电压

Συλλέκτης-εκπομπόςΤάση

VCES

Τvj=25°C

1200

V

连续集电极直流电流

Συνεχής DC collector ρεύμα

Εγώντο

Τντο=100°C

150

ΕΝΑ

集电极重复峰值电流

Κορυφή επανάληψηθετική ρεύμα συλλέκτη

ΕγώCRM

tΠ=1ms

300

ΕΝΑ

栅极－发射极峰值电压

Μέγιστο gatτάση e-εκπομπού

VΓΕΣ

±20

V

总功率损耗

Σύνολο εξουσία dissipation

Πμικρό παιδί

Τντο=25°C, Tvι=175°C

887

W

Χαρακτήραςιστικές αξίες/ 特征值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

Ελάχ. Τυπ.Μέγιστη.

Μονάδες

集电极－发射极饱和电压

Συλλέκτης-εκπομπός κορεσμένοιστην τάση

VCE(κάθισε)

Εγώντο=150A,VGE= 15 V

Τvj=25°C Τvj=125°C

1,65

1,85

1,90

V

栅极阈值电压

Κατώφλι πύληςΤάση

VGE(th)

Εγώντο=6mA, VCE= VGE,Τvj=25°C

5.6 6.37.0

V

内部栅极电阻

Εσωτερική πύλη αντίσταση

RGint

Τvj=25°C

2.5

Ω

输入电容

Καπάκι εισόδουδραστικότητα

ντοες

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

10.6

nF

反向传输电容

Αντίστροφη μεταγωγήsfer χωρητικότητα

ντοres

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

0,54

nF

集电极-发射极截止电流

Συλλέκτης-εκπομπός αποκοπή γεπείγον

ΕγώCES

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

1.00

mA

栅极-发射极漏电流

Πύλη-εκπομπός διαρροή ρεύμα

ΕγώΓΕΣ

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

500

nA

开通延迟时间(电感负载)

Ανάβω χρόνος καθυστέρησης, επαγωγικός φορτώνω

tρε( επί)

Τvj=25°C

Τvj=125°C

72

80

ns

上升时间(电感负载)

Ώρα ανόδου, επαγωγικός φορτώνω

tr

Τvj=25°C

Τvj=125°C

74

78

ns

关断延迟时间(电感负载)

Απενεργοποίηση δχρόνος αναμονής, επαγωγικός φορτώνω

tρε(μακριά από)

Εγώντο=150A, VCE=600V

VGE=-15V…+15V

RΓκον=5,1Ω

RΓκοφ=5,1Ω

Επαγωγικός ΙδΕνα δ

Τvj=25°C

Τvj=125°C

Τvj=25°C

Τvj=125°C

Τvj=25°C

Τvj=125°C

413

480

ns

下降时间(电感负载)

Φθινοπωρινή ώρα, επαγωγικός φορτώνω

tφά

56

60

ns

开通损耗能量(每脉冲)

Ανάβω ενέργεια απώλεια ανά pulse

μιεπί

17.2

24.8

mJ

关断损耗能量(每脉冲)

Ενέργεια απενεργοποίησης απώλεια ανά σφυγμός

μιμακριά από

Τvj=25°C

Τvj=125°C

12.4

18.6

mJ

短路数据

SC δεδομένα

ΕγώSC

VGE=-15V…+15, VCC=600V

VCemax= VCES-ΜΕΓΑΛΟsCE·di/dt, tΠ=10µs, Τvj=25°C

650

ΕΝΑ

结－外壳热阻

Θερμικός αντίσταση, junction να υπόθεση

RthJC

Ανά IGBT / 每个 IGBT

0,169

K/W

工作温度

Θερμοκρασία undη εναλλαγή συνθήκες

Τvjop

-40 150

°C

Δίοδος, Inverter/ 二极管,逆变器

Ανώτατο όριο Βαθμολογημένες Αξίες/最大额定值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

αξία

Μονάδες

反向重复峰值电压

Κορυφή επαναλαμβανόμενες αντίστροφη τάσημι

VRRM

Τvj=25°C

1200

V

连续正向直流电流

Συνεχής DC γιαρεύμα θαλάμου

Εγώφά

150

ΕΝΑ

正向重复峰值电流

Κορυφή επαναλαμβανόμενο προς τα εμπρός ρεύμα

ΕγώFRM

tΠ=1ms

300

ΕΝΑ

Χαρακτήραςιστικές αξίες/ 特征值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

Ελάχ. Τυπ.Μέγιστη.

Μονάδες

正向电压

Μπροστινή τάση

Vφά

Εγώφά=150Α

Τvj=25°C

Τvj=125°C

Τvj=150°C

1,85

1,80 1,80

2.00

V

反向恢复峰值电流

Κορυφή ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΗ ανάκτηση ντοεπείγον

Εγώrm

Εγώφά=150Α

Τvj=25°C

Τvj=125°C

65

80

ΕΝΑ

反向恢复电荷

ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΗ ανάκτηση κεφarge

Qrr

-διφά/dtμακριά από=1600A/μs VR = 600 V

Τvj=25°C

Τvj=125°C

12.4

24.5

μC

反向恢复损耗(每脉冲)

ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΗ ανάκτηση ενέργεια (ανά σφυγμός)

μιrec

VGE=-15V

Τvj=25°C

Τvj=125°C

3.6

7.3

mJ

结－外壳热阻

Θερμικός αντίσταση, junction να υπόθεση

RthJC

Ανά δίοδο/ 每个二极管

0,30

K/W

工作温度

Θερμοκρασία undη εναλλαγή συνθήκες

Τvjop

-40 150

°C

IGBT, Μπαλτάς φρένων/ IGBΤ,刹车

Ανώτατο όριο Βαθμολογημένες Αξίες/ 最大额定值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

αξία

Μονάδες

集电极－发射极电压

Συλλέκτης-εκπομπόςΤάση

VCES

Τvj=25°C, Εγώντο= 1 mA, VGE=0V

1200

V

连续集电极直流电流

Συνεχής DC collector ρεύμα

Εγώντο

Τντο=100°C, Τvι=175°C

100

ΕΝΑ

集电极重复峰值电流

Κορυφή επανάληψηθετική ρεύμα συλλέκτη

ΕγώCRM

tΠ=1ms

200

ΕΝΑ

栅极－发射极峰值电压

Μέγιστο gatτάση e-εκπομπού

VΓΕΣ

±20

V

总功率损耗

Σύνολο εξουσία dissipation

Πμικρό παιδί

Τντο=25°C, Tvj=175°C

652

W

Χαρακτήραςιστικές αξίες/ 特征值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

Ελάχ. Τυπ. Μέγιστη.

Μονάδες

集电极－发射极饱和电压

Συλλέκτης-εκπομπός κορεσμένοιστην τάση

VCE(κάθισε)

Εγώντο=100A,VGE= 15 V

Τvj=25°C

Τvj=125°C

Τvj=150°C

1,65

1,95 2.05

2.00

V

栅极阈值电压

Κατώφλι πύληςΤάση

VGE(th)

Εγώντο= 3,3 mA, VCE=10V, Tvj=25°C

5.0 5.7 6.5

V

栅极电荷

Πύλη χρέωση

Qσολ

VGE=-15V…+15V

0,90

μC

输入电容

Καπάκι εισόδουδραστικότητα

ντοες

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

6,80

nF

反向传输电容

Αντίστροφη μεταγωγήsfer χωρητικότητα

ντοres

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

0,30

nF

集电极-发射极截止电流

Συλλέκτης-εκπομπός αποκοπή γεπείγον

ΕγώCES

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

1.00

mA

栅极-发射极漏电流

Πύλη-εκπομπός διαρροή ρεύμα

ΕγώΓΕΣ

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

500

nA

开通延迟时间(电感负载)

Ανάβω χρόνος καθυστέρησης, επαγωγικός φορτώνω

tρε( επί)

Τvj=25°C Τvj=125°C

145

155

ns

上升时间(电感负载)

Ώρα ανόδου, επαγωγικός φορτώνω

tr

Τvj=25°C Τvj=125°C

28

40

ns

关断延迟时间(电感负载)

Απενεργοποίηση δχρόνος αναμονής, επαγωγικός φορτώνω

tρε(μακριά από)

Εγώντο=100A, VCE=600V

VGE=-15V…+15V

RΓκον=1,6 Ω

RΓκοφ=1,6Ω

Επαγωγικός ΙδΕνα δ

Τvj=25°C

Τvj=125°C

Τvj=25°C

Τvj=125°C

Τvj=25°C

Τvj=125°C

325

360

ns

下降时间(电感负载)

Φθινοπωρινή ώρα, επαγωγικός φορτώνω

tφά

110

170

ns

开通损耗能量(每脉冲)

Ανάβω ενέργεια απώλεια ανά pulse

μιεπί

4.9

7.2

mJ

关断损耗能量(每脉冲)

Ενέργεια απενεργοποίησης απώλεια ανά σφυγμός

μιμακριά από

Τvj=25°C Τvj=125°C

6.5

9.7

mJ

短路数据

SC δεδομένα

ΕγώSC

VGE=-15V…+15, VCC=600V

VCemax= VCES-ΜΕΓΑΛΟsCE·di/dt, tΠ=10µs, Τvj=25°C

450

ΕΝΑ

结－外壳热阻

Θερμικός αντίσταση, junction να υπόθεση

RthJC

Ανά IGBT / 每个 IGBT

0,23

K/W

工作温度

Θερμοκρασία undη εναλλαγή συνθήκες

Τvjop

-40 150

°C

Δίοδος, Μπαλτάς φρένων/ 二极管,刹车

Ανώτατο όριο Βαθμολογημένες Αξίες/最大额定值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

αξία

Μονάδες

反向重复峰值电压

Κορυφή επαναλαμβανόμενες αντίστροφη τάσημι

VRRM

Τvj=25°C

1200

V

连续正向直流电流

Συνεχής DC γιαρεύμα θαλάμου

Εγώφά

50

ΕΝΑ

正向重复峰值电流

Κορυφή επαναλαμβανόμενο προς τα εμπρός ρεύμα

ΕγώFRM

tΠ=1ms

100

ΕΝΑ

Χαρακτήραςιστικές αξίες/ 特征值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

Ελάχ.Τυπ. Μέγιστη.

Μονάδες

正向电压

Μπροστινή τάση

Vφά

Εγώφά=50Α

Τvj=25°C

Τvj=125°C

Τvj=150°C

1,85

1,80

1,80

V

反向恢复峰值电流

Κορυφή ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΗ ανάκτηση ντοεπείγον

Εγώrr

Εγώφά=50Α

Τvj=25°C

Τvj=125°C

7.00

11.2

ΕΝΑ

反向恢复电荷

ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΗ ανάκτηση κεφarge

Qr

-διφά/dtμακριά από=2300A/μs VR = 600 V

Τvj=25°C

Τvj=125°C

80

85

μC

反向恢复损耗(每脉冲)

ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΗ ανάκτηση ενέργεια (ανά σφυγμός)

μιrec

VGE=-15V

Τvj=25°C

Τvj=125°C

2.8

4.9

mJ

结－外壳热阻

Θερμικός αντίσταση, junction να υπόθεση

RthJC

Ανά δίοδο/ 每个二极管

0,68

K/W

工作温度

Θερμοκρασία undη εναλλαγή συνθήκες

Τvjop

-40 150

°C

Δίοδος, Ανορθωτής/ 二极管,整流

Ανώτατο όριο Βαθμολογημένες Αξίες/最大额定值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

αξία

Μονάδες

反向重复峰值电压

Κορυφή επαναλαμβανόμενες αντίστροφη τάσημι

VRRM

Τvj=25°C

1600

V

最大正向均方根电流(每芯片)

Ανώτατο όριο Μπροστινό ρεύμα RMS ανά πατατακι

ΕγώFRMSM

ΤH = 100°C

150

ΕΝΑ

最大整流器输出均方根电流

Ανώτατο όριο RMS ρεύμα σε ανορθωτής παραγωγή

ΕγώRMSM

ΤH = 100°C

150

ΕΝΑ

正向浪涌电流

Κύμα προς τα εμπρόςρεύμα

ΕγώFSM

tΠ=10ms, Τvj=25°C, sin180°

1600

ΕΝΑ

Εγώ2t-值

I²t-τιμή

Εγώ2t

tΠ=10ms, Τvj=25°C, sin180°

13000

ΕΝΑ2μικρό

Χαρακτήραςιστικές αξίες/ 特征值

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

Ελάχ. Τυπ. Μέγιστη.

Μονάδες

正向电压

Μπροστινή τάση

Vφά

Τvj=150°C, Εγώφά=100Α

1.0

V

反向电流

Αντίστροφο ρεύμα

ΕγώR

Τvj=125°C, VR=1600V

2.0

mA

结－外壳热阻

Θερμικός αντίσταση, junction να υπόθεση

RthJC

Ανά δίοδο/ 每个二极管

0,28

K/W

工作温度

Θερμοκρασία undη εναλλαγή συνθήκες

Τvjop

-40 150

°C

Μονάδα μέτρησης/ 模块

Είδος

Σύμβολο

Συνθήκες

αξία

Μονάδα

μικρό

绝缘测试电压

Απομόνωσητάση δοκιμής

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Υλικό του μονάδα μέτρησης πλάκα βάσης

Cu

内部绝缘

Εσωτερικός απομόνωση

基本绝缘(τάξη 1, ΕγώEC 61140)

Βασικός μόνωση (τάξη 1, IEC 61140)

Ο Αλ2Ο3

爬电距离

Creepage distance

10

mm

电气间隙

Εκτελωνισμός

7.5

mm

相对电痕指数

Comperativε παρακολούθηση δείκτης

CTI

> 200

Σύμβολο αντικειμένουΠροϋποθέσεις Ελάχ.Τυπ.Μέγιστη.Μονάδες

杂散电感,模块

Περιπλανώμενος επαγωγή μονάδα μέτρησης

μεγάλοsCE

25

nH

模块引脚电阻, 端子-芯片

Μονάδα μέτρησης Οδηγω Αντίσταση ,Τερματικά-Γισχίο

RCC'+EE'ΤH=25°C,每个开关/perswitch

1.1

mΩ

储存温度

Αποθήκευση temδιάσταση

Τstg

-40 125

°C

模块安装的安装扭距

Τοποθεσία τοποθέτησηςque για μονάδα μέτρησης βάση

Μ

3.00 6.00

Nm

重量

Βάρος

σολ

300

σολ