Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
προϊόντα
προϊόντα
Σπίτι > προϊόντα > Μονούλες IGBT EconoDual3 > 1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Μάρκα: SPS

Αριθμό μοντέλου: SPS450B17D3R8

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

Μονάδα Solid Power IGBT Half Bridge

,

450A IGBT ημιγέφυρα

,

1700V IGBT Μονάδα Μισής γέφυρας

1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

1700V 450A IGBT Half Bridge Module

1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 0

Χαρακτηριστικά:
 Τεχνολογία 1700V Trench+ Field Stop
 Δίοδοι ελεύθερου τροχού με γρήγορη και μαλακή ανάστροφη ανάκτηση
 VCE(sat) με θετικό συντελεστή θερμοκρασίας
 Χαμηλές απώλειες μεταγωγής
 Ανθεκτικότητα βραχυκυκλώματος
 
Τυπικές εφαρμογές:
 Κινητήρες κίνησης
 Ανεμογεννήτριες

 

IGBT, Αντιστροφέας / IGBT,逆变器

 

Ανώτατο όριο Βαθμολογημένες Αξίες/ 最大额定

 

Είδος

 

Σύμβολο

 

Συνθήκες

 

αξία

 

Μονάδες

 

集电极-发射极电压

Συλλέκτης-εκπομπόςΤάση

 

VCES

 

Τvj=25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Συνεχής DC collector ρεύμα

 

Εγώντο ονομ

 

Τντο=100°C, Τvjmax=175°C

 

450

 

 

ΕΝΑ

 

集电极重复峰值电流

Κορυφή επανάληψηθετική ρεύμα συλλέκτη

 

ΕγώCRM

 

tΠ=1ms

 

900

 

ΕΝΑ

 

栅极-发射极峰值电压

Μέγιστο gatτάση e-εκπομπού

 

VΓΕΣ

 

 

±20

 

V

 

Χαρακτήραςιστικές αξίες/ 特征值

 

Είδος

 

Σύμβολο

 

Συνθήκες

 

Ελάχ. Τυπ. Μέγιστη.

 

Μονάδες

 

集电极-发射极饱和电压

Συλλέκτης-εκπομπός κορεσμένοιστην τάση

 

 

VCE(κάθισε)

 

Εγώντο=450A,VGE= 15 V

 

Τvj=25°C Τvj=125°C Τvj=150°C

 

1,70

1,95 2.00

 

2.00

 

V

V

V

 

栅极阈值电压

Κατώφλι πύληςΤάση

 

 

VGE(th)

 

Εγώντο=17mA, VCE=VGE, Τvj=25°C

 

 

5.1 5.9 6.6

 

 

V

 

栅极电荷

Πύλη χρέωση

 

Qσολ

 

VGE=-15V…+15V

 

 

2.42

 

 

uC

 

内部栅极电阻

Εσωτερική πύλη αντίσταση

 

RGint

 

Τvj=25°C

 

2.2

 

Ω

 

输入电容

Καπάκι εισόδουδραστικότητα

 

 

ντοες

 

 

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

37,5

 

nF

 

反向传输电容

Αντίστροφη μεταγωγήsfer χωρητικότητα

 

 

ντοres

 

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0,63

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Συλλέκτης-εκπομπός αποκοπή γεπείγον

 

ΕγώCES

 

 

VCE=1700V, VGE=0V, Tvj=25°C

 

3.00

 

mA

 

栅极-发射极漏电流

Πύλη-εκπομπός διαρροή ρεύμα

 

 

ΕγώΓΕΣ

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间(电感负载)

Ανάβω χρόνος καθυστέρησης, επαγωγικός φορτώνω

 

 

tρε( επί)

 

 

 

 

 

 

 

Εγώντο=450A, VCE=900V

VGE=±15V

RΓκον=3,3Ω

RΓκοφ=3,3Ω

 

Επαγωγικός Λόαρε,

 

Τvj=25°C Τvj=125°C Τvj=150°C Τvj=25°C Τvj=125°C Τvj=150°C Τvj=25°C Τvj=125°C Τvj=150°C Τvj=25°C Τvj=125°C Τvj=150°C Τvj=25°C Τvj=125°C Τvj=150°C Τvj=25°C Τvj=125°C Τvj=150°C

 

215

240

 

245

 

ns

ns

ns

 

上升时间(电感负载)

Ώρα ανόδου, επαγωγικός φορτώνω

 

tr

 

100

125

 

130

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间(电感负载)

Απενεργοποίηση δχρόνος αναμονής, επαγωγικός φορτώνω

 

 

tρε(μακριά από)

 

575

720

 

740

 

ns

ns

ns

 

下降时间(电感负载)

Φθινοπωρινή ώρα, επαγωγικός φορτώνω

 

tφά

 

385

670

 

715

 

ns

ns

ns

 

开通损耗能量(每脉冲)

Ανάβω ενέργεια απώλεια ανά pulse

 

 

μιεπί

 

135

223

 

241

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量(每脉冲)

Ενέργεια απενεργοποίησης απώλεια ανά σφυγμός

 

μιμακριά από

 

103

159

 

167

 

mJ

mJ

mJ

 

短路数据

SC δεδομένα

 

ΕγώSC

 

VGE≤15V, VCC=1000V

VCemax= VCES-ΜΕΓΑΛΟsCE·di/dt, tΠ=10µs, Τvj=150°C

 

 

1400

 

ΕΝΑ

 

结-外壳热阻

Θερμικός αντίσταση, junction να υπόθεση

 

RthJC

 

Ανά IGBT / 每个 IGBT

 

0,07

 

K/W

 

工作温度

Θερμοκρασία undη εναλλαγή συνθήκες

 

Τvjop

 

 

 

-40150

 

 

°C

 

 

Δίοδος, Inverter/ 二极管,逆变器

Ανώτατο όριο Βαθμολογημένες Αξίες/最大额定值

 

Είδος

 

Σύμβολο

 

Συνθήκες

 

αξία

 

Μονάδες

 

反向重复峰值电压

Κορυφή επαναλαμβανόμενες αντίστροφη τάσημι

 

VRRM

 

Τvj=25°C

 

1700

 

V

 

连续正向直流电流

Συνεχής DC γιαρεύμα θαλάμου

 

Εγώφά

 

 

450

 

 

ΕΝΑ

 

正向重复峰值电流

Κορυφή επαναλαμβανόμενο προς τα εμπρός ρεύμα

 

ΕγώFRM

 

tΠ=1ms

 

900

 

ΕΝΑ

 

Χαρακτήραςιστικές αξίες/ 特征值

 

Είδος

 

Σύμβολο

 

Συνθήκες

 

Ελάχ. Τυπ. Μέγιστη.

 

Μονάδες

 

正向电压

Μπροστινή τάση

 

Vφά

 

 

Εγώφά=450Α

 

Τvj=25°C

Τvj=125°C

Τvj=150°C

 

1,80

1,95 1,95

 

2.10

 

V

V

V

 

反向恢复峰值电流

 

Κορυφή ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΗ ανάκτηση ντοεπείγον

 

 

ΕγώRM

 

 

 

Εγώφά=450Α

-διφά/dtμακριά από=5200A/μs

VR =900 V

 

VGE=-15V

 

Τvj=25°C 490

Τvj=125°C485

 

Τvj=150°C485

 

ΕΝΑ

ΕΝΑ

ΕΝΑ

 

恢复电荷

Χρέωση ανάκτησης

 

 

Qr

 

Τvj=25°C90

Τvj=125°C 185

 

Τvj=150°C 200

 

uC

uC

uC

 

反向恢复损耗(每脉冲)

ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΗ ανάκτηση ενέργεια (ανά σφυγμός)

 

μιrec

 

Τvj=25°C 43

Τvj=125°C 87

 

Τvj=150°C 95

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外壳热阻

Θερμικός αντίσταση, junction να υπόθεση

 

RthJC

 

Ανά δίοδο/ 每个二极管

 

0,09

 

K/W

 

工作温度

Θερμοκρασία undη εναλλαγή συνθήκες

 

Τvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

NTC-Θερμίστορ / 负温度系数热敏电阻

Χαρακτηριστικές Αξίες/特征值

 

Είδος

 

Σύμβολο

 

Συνθήκες

 

αξία

 

Μονάδες

 

额定电阻值

Βαθμολογήθηκε αντίστασηtance

 

R25

 

Τντο=25°C

 

5.00

 

 

ΣΙ-

Β-τιμή

 

σι25/50

 

 

3375

 

κ

 

 

Μονάδα μέτρησης/

 

Είδος

 

Σύμβολο

 

Συνθήκες

 

αξία

 

Μονάδες

 

绝缘测试电压

Απομόνωσητάση δοκιμής

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.4

 

 

kV

 

模块基板材料

Υλικό του μονάδα μέτρησης πλάκα βάσης

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Εσωτερικός απομόνωση

 

 

基本绝缘(τάξη 1, ΕγώEC 61140)

Βασικός μόνωση (τάξη 1, IEC 61140)

 

Ο Αλ2Ο3

 

 

爬电距离

Creepage distance

 

 

端子-散热片/ τερματικό tο ψύκτρα

端子-端子/terminal to terελάχιστη

 

14.5

13.0

 

 

mm

 

电气间隙

Εκτελωνισμός

 

 

端子-散热片/ τερματικό tο ψύκτρα

端子-端子/terminal to terελάχιστη

 

12.5

10.0

 

mm

 

相对电痕指数

Συγκριτική παρακολούθηση δείκτης

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

Είδος

 

Σύμβολο

 

Συνθήκες

 

Ελάχ.

 

Τυπ.

 

Μέγιστη.

 

Μονάδες

 

杂散电感,模块

Περιπλανώμενος επαγωγή μονάδα μέτρησης

 

μεγάλοsCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引线电阻,端子-芯片

Μονάδα μέτρησης οδηγω αντίσταση, ακροδέκτες - πατατακι

 

RCC'+EE'

 

Τντο=25°C

 

 

1.10

 

 

 

储存温度

 

Αποθήκευση temδιάσταση

 

Τstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

Τοποθεσία τοποθέτησηςque για μονάδα μέτρησης βάση

 

Μ5

 

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接扭矩

Σύνδεση τερματικούn ροπή

 

Μ6

 

 

3.00

 

 

6.00

 

Nm

 

重量

 

Βάρος

 

σολ

   

 

345

 

 

σολ

1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 1

1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 2

1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 3

1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 4

1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 5

1700V 450A IGBT Μονάδα μισής γέφυρας-Σκληρή ισχύς-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 6

 

Παρόμοια προϊόντα