Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
προϊόντα
προϊόντα
Σπίτι > προϊόντα > Μονούλες IGBT EconoPack > 1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2

1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αριθμό μοντέλου: SPS180RC16K2

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

180A IGBT μονάδες υψηλού ρεύματος

,

Ημιελεγχόμενες μονάδες IGBT υψηλού ρεύματος

,

1600V μονάδες IGBT EconoPack

1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2

Στερεά ισχύος DS-SPS180RC16K2-S04040007 V1.0

 

1600V 180A 3-Φάση μισοελεγχόμενη + IGBT μονάδα πέδησης ελικοπτέρου

1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2 0

Χαρακτηριστικά:

  • Υπόστρωμα Al2O3 χαμηλής θερμικής αντοχής
  • Υψηλή πυκνότητα ισχύος
  • Σύνθετο σχεδιασμό

 

Τυπικό Εφαρμογές:

  • Ενεργός διορθωτής
  • Μισοελεγχόμενη γέφυρα Β6

 

Διοδή, διορθωτής.

Μέγιστη ονομαστική αξία /

 

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδες

 

Αντίστροφη επανάληψη κορυφαίας τάσης

Πύργος επαναλαμβανόμενο αντίστροφη τάσηε

 

VΕπενδύσεις

 

 

Τvj= 25°C, Εγώ...R=0,1mA

 

1600

 

V

 

Το μέγιστο ίσιο ρεύμα ρεύματος(Κάθε τσιπ)

Μέγιστο Προχωρητικό ρεύμα RMS κατά τσιπ

 

Εγώ...Επενδυτική μέθοδος

 

ΤΓ= 80°C, Τvj= 150°C

 

150

 

Α

 

最大整流器 εξόδου均方根 ηλεκτρικό ρεύμα

Μέγιστο Τρόπος ροής RMS διορθωτής εξόδου

 

 

Εγώ...Επικαιροποίηση

 

ΤΓ= 80°C

 

 

180

 

Α

 

Σωστό ρεύμα

Πηγαίνετε μπροστά.ρεύμα

 

Εγώ...Επενδύσεις

 

tp= 10 ms, Tvj= 25°C

 

1300

 

Α

 

Εγώ...2Τ-

Αξία I2t

 

Εγώ...2t

 

 

tp= 10 ms, Tvj= 25°C

 

8450

 

Α2σ

 

ΧαρακτήραςΔοκιμαστική/ 特征值

       

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

- Μίνι. Τύπος Μαξ.

 

Μονάδες

 

Δίπλωμα ηλεκτρικής τάσης

Προχωρημένη τάση

 

VF

 

 

Τvj= 25°C, Εγώ...F=110A

 

1.051.20

 

V

 

Δυναμικό ∆υστυχώς

Οριακό όριο vγήρανση

 

VΠρος

 

Τvj= 150°C

 

0.80

 

 

V

 

斜率 ηλεκτρική αντίσταση

Κλίση αντίσταση

 

 

rΤ

 

Τvj= 150°C

 

2.40

 

 

Αντίστροφη ηλεκτρική ροή

 

Αντίστροφο ρεύμα

 

Εγώ...R

 

Τvj= 150°C, VR=1600V

 

2

 

mA

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

 

RτοJC

 

ανά διόδη/ Κάθε διωχτήρα

 

0.28

 

Κ/Δ

 

Διορθωτής θυρίστορα / 晶?? 管,整流器

Μέγιστες ονομαστικές τιμές /最大额定值

 

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδες

 

Αντίστροφη επανάληψη κορυφαίας τάσης

Πύργος επαναλαμβανόμενο αντίστροφη τάση

 

VRRM

 

Tvj=25°C

 

1600

 

V

 

Το μέγιστο ίσιο ρεύμα ρεύματος(Κάθε τσιπ)

Μέγιστο Προχωρητικό ρεύμα RMS κατά τσιπ

 

ΔΕΣΜΕΔ

 

TC=80°C

 

150

 

 

Α

 

最大整流器 εξόδου均方根 ηλεκτρικό ρεύμα

Μέγιστο Τρόπος ροής RMS διορθωτής εξόδου

 

IRMSM

 

TC=80°C

 

180

 

Α

 

Σωστό ρεύμα

Τρέχοντας προς τα εμπρός

 

 

ΔΕΔΜ

 

tp= 10 ms, Tvj=25°C

tp= 10 ms, Tvj=130°C

 

1800

 

1450

 

Α

Α

 

Ι2t -

Αξία I2t

 

 

Ι2t

 

tp= 10 ms, Tvj=25°C

tp= 10 ms, Tvj=130°C

 

16200

 

10510

 

Α2s

Α2s

 

Η τάση αύξησης του ρεύματος.

Κριτική Ποσοστότου αύξηση της σε κατάσταση ρεύμα

 

(di/dt) κρ

 

TVj = 130°C

 

100

 

 

Α/μs

 

Συνοριακή αύξηση τάσης

Κριτική Ποσοστό του αύξηση της τάσης σε κατάσταση λειτουργίας

 

(di/dt) κρ

 

TVj = 130 °C, VD=2/3VDRM

 

1000

 

V/μs

 

Χαρακτηριστικές αξίες/ 特征值

       

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

- Μίνι. Τύπος Μαξ.

 

Μονάδες

 

Δίπλωμα ηλεκτρικής τάσης

Προχωρημένη τάση

 

 

ΔΕΠ

 

TVj = 130 °C, Εγώ...Τ = 110 Α

 

1.30

 

 

V

 

Δυναμικό ∆υστυχώς

Τεχνική διάταξη

 

V ((TO)

 

Tvj=130°C

 

0.90

 

V

 

斜率 ηλεκτρική αντίσταση

Κλίση αντίσταση

 

rT

 

 

Tvj=130°C

 

 

3.20

 

 

门极触发电流 门极

Τριγμή της πύλης ρεύμα

 

 

ΓΓΤ

 

 

TVj= 25°C, VD= 12V, RL=30Ω

 

100

 

mA

 

门极触发 ηλεκτρική πίεση

Η τάση ενεργοποίησης πύλης

 

 

ΕΓΤ

 

TVj= 25°C, VD=6V

 

2.00

 

 

V

 

门极不触发电流 (Μεγάλη ατμόσφαιρα)

Πύλη μη ενεργοποιητικό ρεύμα

 

ΔΕΠ

 

TVj= 130°C, VD=6V

 

TVj= 130°C, VD=0,5 VDRM

 

6.0

3.0

 

mA

mA

 

门极不触发 电压

Πύλη μη ενεργοποιητική τάση

 

ΔΕΠ

 

TVj= 130°C, VD= VDRM

 

0.25

 

V

 

διατήρηση ηλεκτρικού ρεύματος

 

Κτήση ρεύμα

 

 

ΙΧ

 

 

TVj= 25°C, Εγώ...Τ=1Α

 

250

 

mA

 

擎住 ηλεκτρικό ρεύμα

 

Κλειδώματα ρεύμα

 

ΙΙ

 

TVj= 25°C, Εγώ...G=1.2ΙΓΤ

 

300

 

mA

 

门极控制延迟时间 (Μέρος ελέγχου της καθυστέρησης)

Πύλη Ελεγχόμενος χρόνος καθυστέρησης

 

tgd

 

ΔΙΝ ΔΕΠ 747-6

TVj= 25°C, ΙΓενετικά τροποποιημένα= 0,6A, ΔίG/dt=0,6A/μs

 

1.2

 

μs

 

换流关断时间 (Αλλαγή ροής)

Κύκλος χρόνος ανάκαμψης με μετατόπιση

 

Τσ

 

TVj = 130 °C, ΙΤΜ = 50 Α

VRM = 100 V, VDM= 2/3 VDRM

dVD/dt = 20 V/μs, -Ναι.Τ/dt = 10 A/μs

 

 

150

 

 

μs

 

Αντίστροφη ηλεκτρική ροή

 

Αντίστροφο ρεύμα

 

IR

Ταυτότητα

 

TVj= 125°C, VR=1600V

 

20

 

 

mA

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

 

RthJC

 

Για κάθε θυρίστορα / Κάθε τρισδιάστατο σωλήνα

 

0.24

 

Κ/Δ

 

 

IGBT Ελικοπτέρες πέδησης/ IGBT制动-∆ιακομιστής

Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/ Μέγιστο ποσό

 

 

 

 

συνεχής ρεύμα ρεύμα ρεύμαΕγώ...Γ ΟνομασίαΤΓ= 80°C, Τvj= 175°C100 Α

 

Συνεχή Δ.Σ. ρεύμα συλλέκτηΕγώ...ΓΤΓ= 25°C, Tvj= 175°C 140 Α

 

开通延迟时间 (Ανοίξτε την αναβολή)( ηλεκτρικό φορτίο)

Ενεργοποίηση χρόνος καθυστέρησης, επαγωγική φορτίο

 

ε ε( σε) Τvj=25°C 125 μs

 

Εύξηση χρόνου( ηλεκτρικό φορτίο)

Ώρα να σηκωθούμε. επαγωγική φορτίο

 

Τρ

 

Tvj=25°C

 

30

 

μs

 

关断延迟时间 (Καταλείψτε την καθυστέρηση)( ηλεκτρικό φορτίο)

Χρόνος καθυστέρησης σβήσης, επαγωγική φορτίο

 

 

ε ε(Κλείσε)

 

IC= 100A, VCE=600V

Δυνατότητα εκπομπής

 

Tvj=25°C

 

300

 

μs

 

Κατώτερος χρόνος( ηλεκτρικό φορτίο)

Το φθινόπωρο. επαγωγική φορτίο

 

Τφ

 

RGon=1,5 Ω

RGoff=1,5 Ω

 

Tvj=25°C

 

165

 

μs

 

开通 损耗能量(Κάθε παλμός)

Ενεργοποίηση ενέργεια απώλεια κατά σφυγμό

 

 

Εων

 

 

Tvj=25°C

 

 

2.4

 

 

mJ

 

关断损耗能量 (Κατακόμιση της ενέργειας)(Κάθε παλμός)

Ενέργεια απενεργοποίησης απώλεια κατά σφυγμό

 

Εφ

 

Tvj=25°C

 

7.5

 

mJ

 

Α

 

 

Κ/Δ

 

σύντομος δρόμος

SC δεδομένα

 

ΕΣΚ

 

VGE≤ 15V, VCC=800V

VCEmax= VCES-Τι;sCE·di/dt, tp=10μs, Tvj=150°C

 

360

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

 

RthJC

 

Κατά IGBT / Ο καθένας. IGBT

 

0.25

 

Δίοδος, ΦυλακάκιΚε-Επιταχτήρας/ 

Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/

 

Αντίστροφη ανάκτηση κορυφαίας ηλεκτρικής ροής

 

Πύργος Αντίστροφη ανάκτηση γχρέος

 

Εγώ...RMΤvj= 150°C50 Α

 

Αντιστροφή του χρόνου.

Πίσω χρόνος ανάκτησης

 

Τερ

 

Εγώ...F=50A

ΔίF/dtΚλείσε=1300A/μσ

 

Τvj= 150°C

 

380

 

σ

 

恢复电荷 επαναφορά ηλεκτρισμού

Πίσω ανάκτηση chΑρκετά

 

Qr

 

VR = 600 V

VΓενικά=-15V

 

Τvj= 150°C

 

8

 

 

μC

 

Αντίστροφη απώλεια αποκατάστασης

Πίσω ανάκτηση ενέργεια (ανά σφυγμό)

 

ΕRec

 

Τvj= 150°C

 

3.5

 

mJ

 

 

0.70Κ/Δ

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

 

RτοJC

 

ανά διόδη/ Κάθε διωχτήρα

 

 

 

1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2 1

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδες

 

绝缘 δοκιμαστική τάση

Απομόνωσητάση δοκιμής

 

VΙΣΟΛ

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Υλικό Μονάδα Πλακέτα βάσης

   

 

 

Κου

 

 

Εσωτερική απομόνωση

Εσωτερικό απομόνωση

 

 

基本绝缘(κατηγορία 1, Εγώ...ΕΟΚ 61140)

Βασικό μόνωση (κατηγορία 1, ΔΕΠ 61140)

 

Αλ2Ο3

 

 

爬电距离

Κρίπτιγκ disΤανς

 

 

端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

 

10.0

 

 

χμ

 

ηλεκτρικός χώρος

Αδειοδότηση

 

 

端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

 

7.5

 

χμ

 

Σχετικό δείκτη ηλεκτρικών σημάτων

ΣυγκριτικόΗ παρακολούθηση δείκτη

 

 

ΚΤΠ

 

 

 

> 200


 

 

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

- Μίνι.

 

Τύπος.

 

Μαξ. Μαξ.

 

Μονάδες

 

杂散电感,模块 Ηλεκτρική αίσθηση διαχωρισμού

Αγνοούμενος επαγωγικότητα Μονάδα

 

ΑsCE

   

 

50

 

 

nH

 

μέγιστη θερμοκρασία

Μέγιστη διασταύρωσηn θερμοκρασία

 

Τvj ((max)

 

逆变器, 制动 Ο αντίστροφος, ο αντίστροφος-∆ιακομιστής/μεταστροφέας, Δοκιμαστική μηχανή整流器/διορθωτής

   

 

175

 

125

 

°C

°C

 

Σε κατάσταση κλειστή υπό θερμοκρασία

Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις

 

Τvj(op)

 

逆变器, 制动 Ο αντίστροφος, ο αντίστροφος-∆ιακομιστής/μεταστροφέας, Δοκιμαστική μηχανή整流器/διορθωτής

 

-40

 

-40

 

 

150

 

125

 

°C

°C

 

θερμοκρασία αποθήκευσης

 

Αποθήκευσηδιαμέρισμα

 

Τστγ

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

Μοντέλο εγκατάστασης της εγκατάστασης στροφή απόσταση

Δρόμος τοποθέτησηςπου για Μονάδα τοποθέτηση

 

Μ

 

 

3.00

 

 

6.00

 

Νμ

 

Βάρος

 

Βάρος

 

G

   

 

180

 

 

g

 

 

IGBT

Χαρακτηριστικό εξόδου IGBT, Brake-Chopper ((τυπικό) IC=f ((VCE)) Χαρακτηριστικό εμπρός Διοδίου, Brake-Chopper ((τυπικό)

Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την ανάλυση της τάσης της πίεσης.

1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2 2

 

Προχωρητικό χαρακτηριστικό της διόδου, διορθωτή (τυπικό)

IF=f(VF)

1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2 3

1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2 4

 

 

Το "1600V 180A + IGBT" πιθανότατα αναφέρεται σε συσκευή IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) με ονομαστική τάση 1600 βολτ και ονομαστικό ρεύμα 180 αμπερών.Εδώ είναι μια εξήγηση αυτής της περιγραφής.:
 
1Διορισμένη τάση (1600V): Αυτό υποδεικνύει τη μέγιστη τάση που μπορεί να αντέξει το IGBT,και ονομαστική ισχύς 1600 βολτ υποδηλώνει ότι η συσκευή είναι κατάλληλη για εφαρμογές που απαιτούν χειρισμό υψηλότερων επιπέδων τάσης, όπως οι μετατροπείς υψηλής τάσης ή άλλες εφαρμογές παροχής ενέργειας υψηλής τάσης.
 
2. Διοικητικό ρεύμα (180A): Αυτό αντιπροσωπεύει το μέγιστο ρεύμα που μπορεί να χειριστεί το IGBT, και ένα ρεύμα 180 αμπερών καθορίζει το επίπεδο ρεύματος που η συσκευή είναι σε θέση να διεξάγει.Αυτό ισχύει για εφαρμογές που απαιτούν τη διαχείριση υψηλών επιπέδων ισχύος.
 
3. IGBT: Isolated Gate Bipolar Transistor είναι μια συσκευή ημιαγωγών που χρησιμοποιείται συνήθως σε εφαρμογές ηλεκτρονικής ισχύος, όπως μετατροπείς, κινητήρες και πηγές ρεύματος,για τη μετατροπή και την ενίσχυση ηλεκτρικών σημάτων.
 
Μια τέτοια συσκευή μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής τάσης όπου απαιτείται ακριβής έλεγχος τόσο του ρεύματος όσο και της τάσης.η προσεκτική εξέταση των κατάλληλων μέτρων θερμικής διαχείρισης και των κυκλωμάτων κίνησης πύλης είναι απαραίτητη για να εξασφαλιστεί η αξιοπιστία και η απόδοσή τηςΟι ειδικές τεχνικές προδιαγραφές και οι οδηγίες εφαρμογής μπορούν να βρεθούν στο δελτίο δεδομένων του κατασκευαστή.
 

Κύκλος διάγραμμα τίτλος 

 

 

1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2 5

 

 

 

 

 

Πακέτο περιγράμματα 

 

 


1600V 180A 3-Φάσης Με μισό έλεγχο + IGBT Τεχνολογία πέδησης του ελικοπτέρου-SPS180RC16K2 6