προϊόντα

Σπίτι > προϊόντα > Μονούλες IGBT EconoPack > 1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Κατηγορίες

Διακριτικό IGBT

(2)

Επαφές

Επαφές: Mr. Zhou

Τηλεφώνημα: 86-1360-528-8329

Επικοινωνήστε τώρα

Μας ταχυδρομήστε

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Name: 1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0
Brand: 1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0
SKU: SPS200F12K3
Rating: 4.6 (157 reviews)

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αριθμό μοντέλου: SPS200F12K3

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή του προϊόντος

Επισημαίνω: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1200V πλήρης γέφυρας IGBT, Μονάδα IGBT πλήρους γέφυρας, 200A IGBT πλήρους γέφυρας
                              

Ρεύμα συλλεκτών:	50Α	Τάση συλλέκτης-εκπομπών:	600V
Τρέχουσα αξιολόγηση:	50Α	Δαπάνη πυλών:	50nC
Τάση πύλη-εκπομπών:	±20V	Τετάρτη:	2500V
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	150°C	Τύπος συσκευασίας:	EconoPACK
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης:	100ns	Συμμόρφωση Rohs:	Ναι.
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:	10 μs	συχνότητα εναλλαγής:	20KHZ
Θερμική αντοχή:	1.5°C/W	Κατηγορία τάσης:	600V

Ρεύμα συλλεκτών:	50Α
Τάση συλλέκτης-εκπομπών:	600V
Τρέχουσα αξιολόγηση:	50Α
Δαπάνη πυλών:	50nC
Τάση πύλη-εκπομπών:	±20V
Τετάρτη:	2500V
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	150°C
Τύπος συσκευασίας:	EconoPACK
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης:	100ns
Συμμόρφωση Rohs:	Ναι.
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:	10 μs
συχνότητα εναλλαγής:	20KHZ
Θερμική αντοχή:	1.5°C/W
Κατηγορία τάσης:	600V

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Στερεά ισχύος DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

1200V 200A IGBT Πλήρης Γέφυρα Μονάδα

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 0

Χαρακτηριστικά:

Π 1200V τεχνολογία Trench+ Field Stop

□ Δίοδοι ελεύθερης τροχιάς με γρήγορη και απαλή ανάκτηση

□ V_CE(sat)με θετικό συντελεστή θερμοκρασίας

□ Μικρές απώλειες μετάλλαξης

□ Δυνατότητα βραχυκύκλωσης

ΤυπικόΕφαρμογές:

□ Μηχανοκίνητα οχήματα

□ Σερβοκινητήρες

□ Βοηθητικοί μετατροπείς

Πακέτο

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες			Μονάδα
Η τάση δοκιμής απομόνωσης	ΒΙΣΟΛ	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		2.5			kV
Υλικό της πλάκας βάσης του μοντέλου				Κου
Εσωτερική απομόνωση		(κλάση 1, IEC 61140) Βασική μόνωση (κλάση 1, IEC 61140)		Αλ₂Ο₃
Απόσταση έλξης	Κρίπ	Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα		10.0			χμ
Αδειοδότηση	dΚαθαρή	Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα		7.5			χμ
Συγκριτικός δείκτης παρακολούθησης	ΚΤΠ			> 200

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες			Μονάδα
Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		- Μίνι.	Τύπος.	Μαξ. Μαξ.	Μονάδα
Μονάδα παραστρατημένης επαγωγικότητας	ΕΛΣΕ				21		nH
Αντίσταση μολύβδου μονάδας, τερματικά - τσιπ	RCC+EE		Τ_Γ= 25°C		1.80		mΩ
Θέρμανση αποθήκευσης	Tstg			-40		125	°C
Δρόμος τοποθέτησης για την τοποθέτηση της μονάδας	Επενδύσεις			3		6	Νμ
Βάρος	G				300		g

IGBT

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες	Μονάδα
Δυνατότητα συλλέκτη-εκδότη	ΕΣΕΣ		Τ_vj= 25°C	1200	V
Μέγιστη τάση εκπομπής πύλης	ΒΓΕΣ			±20	V
Τροποποιημένη τάση πύλης-εκδότη	ΒΓΕΣ	t_p≤ 10μs, D=0.01		±30	V
Συνεχή ρεύμα συνεχούς ρεύματος συλλέκτη	Εγώ..._Γ		Τ_Γ=60°C	200	Α
Πυκνωμένο ρεύμα συλλέκτη,tp περιορισμένο από T_jmax	ICpulse			400	Α
Απορρόφηση ισχύος	Πtot			750	W

Χαρακτηριστικό Αξίες

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες			Μονάδα
Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		- Μίνι.	Τύπος.	Μαξ. Μαξ.	Μονάδα
Η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκδότη	VCE(sat)	Εγώ..._Γ=200A, V_Γενικά=15V	Τ_vj= 25°C		1.60	2.10	V
			Τ_vj= 125°C		1.80
			Τ_vj= 150°C		1.85
Δυναμική τάση κατώτατης τάσης	ΕΠΕ (η)	V_CE= V_ΓενικάΕγώ..._Γ=8mA		5.2	6.0	6.7	V
Δράση διακοπής συλλέκτη-εκδότη	ICES	V_CE=1200V, V_Γενικά=0V	Τ_vj= 25°C			100	μA
Δράση διακοπής συλλέκτη-εκδότη	ICES	V_CE=1200V, V_Γενικά=0V	Τ_vj= 150°C			5	mA
ρεύμα διαρροής από τον εκδότη πύλης	ΙΓΕΣ	V_CE=0V,V_Γενικά=±20V, T_vj= 25°C		-200 δολάρια		200	nΑ
Χρέωση πύλης	Q_G	V_CE=600V, I_Γ= 200A, V_Γενικά=±15V			1.6		μC
Εισαγωγική χωρητικότητα	Σημεία	V_CE= 25V, V_Γενικά=0V, f =100kHz			24.7		nF
Δυνατότητα παραγωγής	Κουέ				0.9
Αντίστροφη μεταφοράς χωρητικότητας	Κρέας				0.2
Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο	Επικαιροποιημένο	V_CC= 600V,I_Γ=200A R_G=3,3Ω, V_Γενικά=15V	Τ_vj= 25°C		388		σ
			Τ_vj= 125°C		428		σ
			Τ_vj= 150°C		436		σ
Χρόνος άνοδος, επαγωγικό φορτίο	t_r		Τ_vj= 25°C		44		σ
			Τ_vj= 125°C		52		σ
			Τ_vj= 150°C		56		σ
Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο	ΔΕΔ (εκκλεισμός)	V_CC= 600V,I_Γ=200A R_G=3,3Ω, V_Γενικά=15V	Τ_vj= 25°C		484		σ
			Τ_vj= 125°C		572		σ
			Τ_vj= 150°C		588		σ
Ώρα πτώσης, επαγωγικό φορτίο	t_f		Τ_vj= 25°C		132		σ
			Τ_vj= 125°C		180		σ
			Τ_vj= 150°C		196		σ
Απώλεια ενέργειας ανά παλμό	Εων	V_CC= 600V,I_Γ=200A R_G=3,3Ω, V_Γενικά=15V	Τ_vj= 25°C		6.5		mJ
			Τ_vj= 125°C		9.6		mJ
			Τ_vj= 150°C		11.2		mJ
Απενεργοποιήστε την απώλεια ενέργειας ανά παλμό	Εφ		Τ_vj= 25°C		11.8		mJ
			Τ_vj= 125°C		16.4		mJ
			Τ_vj= 150°C		17.3		mJ
Δεδομένα SC	ΕΣΚ	V_Γενικά≤ 15V, V_CC=800V	tp≤10μs T_vj= 150°C			750	Α
Θερμική αντίσταση IGBT, θήκη σύνδεσης	RthJC					0.20	Κ / Δ
Θερμοκρασία λειτουργίας	TJop			-40		150	°C

Διοδή

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες	Μονάδα
Επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση	VRRM		Τ_vj= 25°C	1200	V
Συνεχή συνεχής τάση προς τα εμπρός	Εγώ..._F			200	Α
Διοδικό παλμικό ρεύμα,tp περιορισμένο από T_Jmax	IFpulse			400	Α

Χαρακτηριστικό Αξίες

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες			Μονάδα
				- Μίνι.	Τύπος.	Μαξ. Μαξ.
Προχωρημένη τάση	V_F	Εγώ..._F= 200A, V_Γενικά=0V	Τ_vj= 25°C	1.5	1.80	2.40	V
			Τ_vj= 125°C		1.80
			Τ_vj= 150°C		1.80
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης	trr	Εγώ..._F=200A ΔΙ_F/dt=-6000A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600V, V_Γενικά=-15V	Τ_vj= 25°C		864		σ
			Τ_vj= 125°C		1170
			Τ_vj= 150°C		1280
Πιο υψηλό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης	ΔΕΔΜ		Τ_vj= 25°C		270		Α
			Τ_vj= 125°C		290
			Τ_vj= 150°C		300
Επιστροφή των τελών ανάκτησης	Επικαιροποίηση		Τ_vj= 25°C		22.6		μC
			Τ_vj= 125°C		34.8
			Τ_vj= 150°C		40.0
Απώλεια ενέργειας αντιστροφής ανά παλμό	Ερέκ		Τ_vj= 25°C		4.0		mJ
			Τ_vj= 125°C		13.7
			Τ_vj= 150°C		16.1
Θερμική αντίσταση διόδου, θήκη σύνδεσης	RthJCD					0.30	Κ / Δ
Θερμοκρασία λειτουργίας	TJop			-40		150	°C

Ο θερμοστάτης NTC

Χαρακτηριστικό Αξίες

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες	Μονάδα
Καθορισμένη αντίσταση	R25		Τ_Γ= 25°C	5.00	kΩ
Αξία Β	R25/50			3375	Κ

Αποδόσεις χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Απόδοση χαρακτηριστικό (συνηθισμένο)

Εγώ..._Γ= f (V_CE) Ι_Γ= f (V_CE) Τ_vj= 150°C

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 5

IGBT

Μεταφορά χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Μετατροπή απώλειες IGBT(τυπικό)

Εγώ..._Γ= f (V_Γενικά) V_Γενικά= ±15V, I_Γ= 200A, V_CE= 600V

V_CE= 20V V_Γενικά= ±15V, I_Γ= 200A, V_CE= 600V

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 6

IGBT RBSOA

Ανταλλαγή απώλειες IGBT(τυπικό) Πίσω Προορισμός Ασφαλές λειτουργία Περιοχή (RBSOA)

E = f (I_Γ) Ι_Γ=f (V_CE)

V_Γενικά= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 600V V_Γενικά= ±15V, R_Γκόφ= 3,3Ω, T_vj= 150°C

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 7

Τυπικό χωρητικότητα ως Α λειτουργία του συλλέκτης-εκδότης Πύλη τάσης χρέωση(τυπικό)

C = f (V)_CE) V_Γενικά= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_Γενικά= 0V I_Γ= 200A, V_CE= 600V

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 8

IGBT

IGBT μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του σφυγμό πλάτος Προς τα εμπρός χαρακτηριστικό του Διοδή (τυπικό)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 9

Ανταλλαγή απώλειες Δίοδος (συνηθισμένη) Διακόπτης απώλειες Δίοδος (συνηθισμένη)

Ε_Rec= f (R_G) Ε_Rec= f (I_F)

Εγώ..._F= 200A, V_CE= 600V R_G= 3,3Ω, V_CE= 600V

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 10

Διοδή μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του πλάτος παλμού NTC-θερμιστή-θερμοκρασία χαρακτηριστικό (τυπικό)

Zth(j-c) = f (t) R = f (T)

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 11

Πρόκειται για μια μονάδα πλήρους γέφυρας IGBT 1200V, 200A. Οι διαμορφώσεις πλήρους γέφυρας χρησιμοποιούνται συνήθως σε εφαρμογές ηλεκτρονικής ισχύος, όπως κινητήρες, μετατροπείς και πηγές ρεύματος.Η ονομαστική τάση υποδεικνύει τη μέγιστη τάση που μπορεί να χειριστεί η μονάδαΌταν χρησιμοποιούνται τέτοιες μονάδες υψηλής ισχύος, πρέπει να λαμβάνονται δεόντως υπόψη η απορρόφηση της θερμότητας, η ψύξη,και τα κυκλώματα προστασίας είναι απαραίτητα για την εξασφάλιση αξιόπιστης και ασφαλούς λειτουργίας.

Κύκλος διάγραμμα τίτλος

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 12

Πακέτο περιγράμματα

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 13

Tags:

Μονούλες IGBT 34mm

Μονούλες IGBT 62mm

Μονούλες IGBT EconoDual3

Μονούλες IGBT EasyPIM

Μονούλες IGBT EconoPack

Μονούλες IGBT EconoPIM

Μοδούλες αυτοκινήτων

Υβριδικά διακριτά SiC

Mosfet ιδιαίτερο

Διακριτικό IGBT

1200V 200A πλήρης γέφυρα IGBT μονάδα στερεής ισχύος-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

1200V πλήρης γέφυρας IGBT

Μονάδα IGBT πλήρους γέφυρας

200A IGBT πλήρους γέφυρας

3 φάσης IGBT μονάδα,

Πλήρης γέφυρα IGBT,

Μονούλες IGBT υψηλού ρεύματος