Λεπτομέρειες για το προϊόν
Αριθμό μοντέλου: SPS40G12E3S
Όροι πληρωμής και αποστολής
Η χωρητικότητα του συλλέκτη εκπομπής: |
170 pF |
ΕΝΩΡΙΣΗ: |
Μονό |
Συνεχής συλλέκτης ρεύματος: |
50 Α |
Συλλέκτης ρεύματος με παλμούς: |
200 Α |
Δαπάνη πυλών: |
80 μ.Χ. |
Στυλ εγκατάστασης: |
Μέσα από την τρύπα |
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας: |
-55 έως 150 βαθμούς Κελσίου |
Τύπος συσκευασίας: |
ΤΟ-247 |
Συσκευασία/περίπτωση: |
ΤΟ-247-3 |
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης: |
50 ns |
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών: |
N-Κανάλι |
Διάσπαση του συλλέκτη τάσης: |
1200 V |
Συλλέκτης τάσης εκδότης κορεσμού Max: |
2.2 Β |
Μέγιστο όριο εκπομπής τάσης θύρας: |
5 Β |
Ονομασία προϊόντος: |
Μονάδα τρανζίστορ igbt, μονάδα sic igbt, τρανζίστορες igbt |
Η χωρητικότητα του συλλέκτη εκπομπής: |
170 pF |
ΕΝΩΡΙΣΗ: |
Μονό |
Συνεχής συλλέκτης ρεύματος: |
50 Α |
Συλλέκτης ρεύματος με παλμούς: |
200 Α |
Δαπάνη πυλών: |
80 μ.Χ. |
Στυλ εγκατάστασης: |
Μέσα από την τρύπα |
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας: |
-55 έως 150 βαθμούς Κελσίου |
Τύπος συσκευασίας: |
ΤΟ-247 |
Συσκευασία/περίπτωση: |
ΤΟ-247-3 |
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης: |
50 ns |
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών: |
N-Κανάλι |
Διάσπαση του συλλέκτη τάσης: |
1200 V |
Συλλέκτης τάσης εκδότης κορεσμού Max: |
2.2 Β |
Μέγιστο όριο εκπομπής τάσης θύρας: |
5 Β |
Ονομασία προϊόντος: |
Μονάδα τρανζίστορ igbt, μονάδα sic igbt, τρανζίστορες igbt |
Στερεά ισχύς-DS-SPS40G12E3S-S03010001 V1.0
1200V 40Α IGBT Διακριτικό
1200V 40A IGBT
Γενικά Περιγραφή
Τα SOLIDPOWER IGBT Discrete παρέχουν χαμηλές απώλειες μετάβασης καθώς και υψηλή ικανότητα RBSOA.Μετατροπέας ηλιακών συρμών τριών επιπέδων, συγκόλληση κλπ.
▪ Τεχνολογία 1200V Trench Field Stop
▪ Δίοδοι ελεύθερης τροχιάς SiC SBD
▪ Λιγότερες απώλειες μετάλλαξης
▪ Χαμηλή χρέωση
Τυπικό Εφαρμογές:
▪ Βιομηχανικά UPS
▪ Φορτιστή
▪ Αποθήκευση ενέργειας
▪ Αντιστροφέας
▪ Ζυθοποιία
IGBT IGBT
Χαρακτηριστικό εξόδου IGBT Χαρακτηριστικό εξόδου IGBT
IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C
Δικτυακό σύστημα IGBT FRD
Χαρακτηριστικό εξόδου FRD Δυνατότητα κορεσμού συλλέκτη-εκδότη IGBT
ΕΠ=f(VF) VCE(sat)=f (Tj)
Δικτυακό σύστημα IGBT FRD
Η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκδότη FRD Πύλη-εκδότη οριακή τάση IGBT
VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)
Δικτυακό σύστημα IGBT FRD
Χαρακτηριστικό εξόδου FRD Συλλέκτης ρεύματος IGBT
ΔΕΙ=f ((VF) IC=f ((TC)
Η θερμοκρασία VGE≥15V,Tvj≤175°C
Χαρακτηριστικά φορτίου πύλης Χαρακτηριστικά χωρητικότητας
Το VGE (th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ
Διάταξη 5
IGBT IGBT
Χρονοδιαστολή IGBT Χρονοδιαστολή IGBT
ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C
IGBT IGBT
Χρονοδιαστολή IGBT Χρονοδιαστολή IGBT
ts=f (RG), Tvj=25°C ts=f (RG), Tvj=175°C
Επικαιροποιημένα συστήματα ηλεκτρονικής ενέργειας (π.χ. ηλεκτρονικά συστήματα ηλεκτρονικής ενέργειας)
IGBT IGBT
Χρόνος εναλλαγής IGBT Απώλειες εναλλαγής IGBT
ts=f (Tj) E=f (Tj)
Επικαιροποιημένα συστήματα ηλεκτρονικής ενέργειας για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
IGBT IGBT
Απώλειες μετατροπής IGBT Απώλειες μετατροπής IGBT
Ε=f (IC) Ε=f (IC)
Επικαιροποιημένα συστήματα ηλεκτρικής ενέργειας
IGBT IGBT
Απώλειες μετατροπής IGBT Απώλειες μετατροπής IGBT
E=f (RG) E=f (RG)
Επικαιροποιημένα συστήματα ηλεκτρονικής ενέργειας για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
IGBT IGBT
Απώλειες μετατροπής IGBT Απώλειες μετατροπής IGBT
Ε=f (VCE), Tvj=25°C Ε=f (VCE), Tvj=175°C
Επικαιροποιημένα συστήματα ηλεκτρονικής ενέργειας για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
IGBT
Προηγούμενη μεροληψία SOA Διαρκής θερμική αντίσταση IGBT
Δοκιμαστική ενέργεια για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
Πρόκειται για ένα διακριτό διπολικό τρανζίστορ με μονωμένη πύλη (IGBT) με τάση 1200V και ρεύμα 40A.Τα IGBT χρησιμοποιούνται συνήθως σε ηλεκτρονικές εφαρμογές ισχύος για τη μετάβαση υψηλών τάσεων και ρεύματοςΟι προδιαγραφές δείχνουν ότι αυτή η συγκεκριμένη IGBT μπορεί να χειριστεί μέγιστη τάση 1200V και μέγιστο ρεύμα 40A.Τα κατάλληλα κυκλώματα κίνησης και η απώλεια θερμότητας είναι σημαντικά για τη διασφάλιση της αξιοπιστίας και της απόδοσης του IGBT..
Κύκλος διάγραμμα τίτλος
Πακέτο περιγράμματα