προϊόντα

Σπίτι > προϊόντα > Υβριδικά διακριτά SiC > 1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Κατηγορίες

Διακριτικό IGBT

(2)

Επαφές

Επαφές: Mr. Zhou

Τηλεφώνημα: 86-1360-528-8329

Επικοινωνήστε τώρα

Μας ταχυδρομήστε

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Name: 1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
Brand: 1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
SKU: SPS40MA12E4S
Rating: 4.9 (138 reviews)

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αριθμό μοντέλου: SPS40MA12E4S

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή του προϊόντος

Επισημαίνω: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Υβριδικές διακριτές SiC 1200V, 1200V Sic Mosfet, OEM Υβριδικά διακριτικά SiC
                              

Μείωση τάσης του διόδου σώματος:	1,5V	Τρέχουσα αξιολόγηση:	20Α
Δαπάνη πυλών:	20nC	Τάση κατώτατων ορίων πυλών:	4V
Τετάρτη:	2500V	Μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων:	175°C
-κρατική αντίσταση:	0.1Ω	Ικανότητα παραγωγής:	50pF
Τύπος συσκευασίας:	ΤΟ-247	Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης:	20ns
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:	10 μs	συχνότητα εναλλαγής:	100 kHz
Πεδίο θερμοκρασίας:	-55°C σε +175°C	Κατηγορία τάσης:	1200V

Μείωση τάσης του διόδου σώματος:	1,5V
Τρέχουσα αξιολόγηση:	20Α
Δαπάνη πυλών:	20nC
Τάση κατώτατων ορίων πυλών:	4V
Τετάρτη:	2500V
Μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων:	175°C
-κρατική αντίσταση:	0.1Ω
Ικανότητα παραγωγής:	50pF
Τύπος συσκευασίας:	ΤΟ-247
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης:	20ns
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:	10 μs
συχνότητα εναλλαγής:	100 kHz
Πεδίο θερμοκρασίας:	-55°C σε +175°C
Κατηγορία τάσης:	1200V

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Στερεά ισχύς DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0

1200V 40mΩ SiC MOSFET

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 0

Χαρακτηριστικά:

□ Υψηλή τάση αποκλεισμού με χαμηλή αντίσταση ανάφλεξης

□ Σύνδεση υψηλής ταχύτητας με χαμηλή χωρητικότητα

□ Γρήγορη εσωτερική διόδης με χαμηλή αντιστροφή ανάκτησης (Qrr)

Τυπικό Εφαρμογές:

□ Φωτοβολταϊκοί μετατροπείς

□ Πύλες φόρτισης

□ Συστήματα αποθήκευσης ενέργειας

□ Βιομηχανική παροχή ενέργειας

□ Βιομηχανικοί κινητήρες

Μέγιστο Αξιολογήσεις @Tc=25°C (εκτός εάν Διαφορετικά καθορίζεται)

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις	Αξίες	Μονάδα
Η τάση της πηγής αποχέτευσης	VDSmax	Δοκιμαστική ισχύς	1200	V
Η τάση πύλης πύλης	VGSop	Στατική	-5/+20	V
Μέγιστη τάση πύλης πύλης	VGSmax	Στατική	-8/+22	V
Συνεχής ροή αποχέτευσης	Ταυτότητα	Δοκιμαστικό σύστημα	75	Α
Συνεχής ροή αποχέτευσης	Ταυτότητα	Δοκιμαστικό σύστημα	53
Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης	Δείκτης (πυρ)	Διάμετρος παλμού tp περιορισμένο από Tjmax	120	Α
Καταπολέμηση της εξουσίας	Π.Δ.	TC=25°C, Tj=175°C	366	W
Πεδίο λειτουργίας διασταύρωσης	Tj		-55 έως +175	°C
Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης	Tstg		-55 έως +175	°C

Ηλεκτρική Χαρακτηριστικά @Tc=25°C (εκτός εάν Διαφορετικά καθορίζεται)

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις	ελάχιστο.	Αξίες Τύπος.	Μαξ.	Μονάδα
Η τάση διακοπής της πηγής αποχέτευσης	V ((BR) DSS	Δοκιμαστική ισχύς	1200	-	-	V
Δυναμική τάση κατώτατης τάσης	ΔΕΣ (η)	VDS=VGS, ID=10mA	2.0	2.8	3.5	V
Δυναμική τάση κατώτατης τάσης	ΔΕΣ (η)	Δοκιμαστικό μέγεθος	-	1.9	-	V
Τρέμα αποχέτευσης τάσης μηδενικής πύλης	ΙΔΣΣ	Δοκιμαστική ισχύς	-	1	100	μA
ρεύμα διαρροής πύλης πύλης	ΓΓΣΣ	Δοκιμαστικό σύστημα	-	10	100	nΑ
Αντίσταση στην κατάσταση της πηγής αποστράγγισης	RDS(ενεργοποιημένο)	Δοκιμαστικό σύστημα	-	40	60	mΩ
		Δοκιμαστική ενέργεια	-	64	-
		Δοκιμαστικό σύστημα	-	43	70
		Δοκιμαστική ενέργεια	-	67	-
Μεταγωγικότητα	γφς	Δοκιμαστική ισχύς	-	20	-	S
Μεταγωγικότητα	γφς	Δοκιμαστική ενέργεια για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας	-	18	-	S
Ενέργεια ενεργοποίησης διακόπτη (FWD)	Εων	VDS=800V, Δοκιμαστικό σύστημα	-	635	-
		VDS=800V, Δοκιμαστικό σύστημα
Ενέργεια διακόπτη σβήσης (FWD)	Εφ	Δοκιμαστική ενέργεια για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας	-	201	-	μJ
Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	Επικαιροποιημένο		-	9	-
Ώρα ανάδυσης.	Τρ	VDD=800V,	-	30	-
Ώρα ανάδυσης.	Τρ	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	30	-	σ
Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης	ΔΕΔ (εκκλεισμός)	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	31	-	σ
Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης	ΔΕΔ (εκκλεισμός)	RG ((ext) = 2,5Ω, L=200μH	-	31	-
Ώρα πτώσης	Τφ		-	12	-
Χρέωση πύλης προς πύλη	Qgs	Δοκιμαστική ισχύς	-	40	-
Πύλη προς φορτίο αποχέτευσης	Qgd		-	60	-	nC
Συνολική χρέωση πύλης	Qg		-	163	-
Εισαγωγική χωρητικότητα	Σις	Δοκιμαστικό σύστημα f=1MHz VAC=25mV	-	2534	-	pF
Δυνατότητα παραγωγής	Κος		-	110	-
Αντίστροφη μεταφοράς χωρητικότητας	Κρσ		-	26	-
COSS Αποθηκευμένη ενέργεια	Εωσ		-	70	-	μJ
Αντίσταση εσωτερικής πύλης	RG(int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	1.6	-	Ω

Πίσω Διοδή Χαρακτηριστικά @Tc=25°C (εκτός εάν Διαφορετικά καθορίζεται)

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις	ελάχιστο.	Αξίες Τύπος.	Μαξ.	Μονάδα
Προωθητική τάση διόδου	ΔΕΠ	Δοκιμαστική ισχύς	-	4.9	7	V
Προωθητική τάση διόδου	ΔΕΠ	Δοκιμαστικό μέγεθος	-	4.1	-	V
Συνεχή προωθητικό ρεύμα διόδου	ΕΙ	VGS=-5V	-	75	-	Α
Χρόνος ανάκαμψης	trr	VGS=-5V,	-	32	-	σ
Χρέωση αντιστροφής ανάκτησης	Qrr	ISD=35A,	-	769	-	nC
Πιο υψηλό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης	Ιρρμ	VR=800V, di/dt=3000A/μs	-	39	-	Α

Πίσω Διοδή Χαρακτηριστικά @Tc=25°C (εκτός εάν Διαφορετικά καθορίζεται)

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις	ελάχιστο.	Αξίες Τύπος.	Μαξ.	Μονάδα
Θερμική αντίσταση από τη διασταύρωση στην θήκη	RθJC		-	0.41	-	°C/W

Τυπικό Απόδοση

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 3

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 4

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 5

Τυπικό Απόδοση

Τυπικό Απόδοση

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 12

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 13

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 14

Τυπικό Απόδοση

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 15

Πρόκειται για μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικό μεταλλικόΤα SiC MOSFET είναι γνωστά για την ικανότητα υψηλής τάσης και τη χαμηλή αντίσταση σε κατάσταση λειτουργίας, καθιστώντας τα κατάλληλα για εφαρμογές ηλεκτρονικής ενέργειας με υψηλή απόδοση, όπως μετατροπείς υψηλής συχνότητας και ηλεκτρικά οχήματα.Η αντίσταση 40mΩ κατά την κατάσταση λειτουργίας υποδεικνύει σχετικά χαμηλές απώλειες ισχύος κατά τη διάρκεια της αγωγής, συμβάλλοντας στη βελτίωση της αποδοτικότητας σε εφαρμογές υψηλής ισχύος.

Πακέτο Σχεδιασμός: ΤΟ-247-4L

Tags:

Μονούλες IGBT 34mm

Μονούλες IGBT 62mm

Μονούλες IGBT EconoDual3

Μονούλες IGBT EasyPIM

Μονούλες IGBT EconoPack

Μονούλες IGBT EconoPIM

Μοδούλες αυτοκινήτων

Υβριδικά διακριτά SiC

Mosfet ιδιαίτερο

Διακριτικό IGBT

1200V Υβριδικό SiC διαχωρίζει το Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Υβριδικές διακριτές SiC 1200V

1200V Sic Mosfet

OEM Υβριδικά διακριτικά SiC

Στερεά ισχύς DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0

1200V 40mΩ SiC MOSFET

Ηλεκτρική Χαρακτηριστικά @Tc=25°C (εκτός εάν Διαφορετικά καθορίζεται)

Τυπικό Απόδοση

Τυπικό Απόδοση

Τυπικό Απόδοση

Sic Power Mosfet,

Οδική Sic Mosfet,

Υψηλής τάσης Sic Mosfet

1200V 12mΩ Sic Δύναμη Mosfet διαχωρίζει DS-SPS12MA12E4S Προσαρμοσμένο

Αυτοκινητοβιομηχανία υψηλής τάσης Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM

Μονούλες IGBT 34mm

Μονούλες IGBT 62mm

Μονούλες IGBT EconoDual3

Μονούλες IGBT EasyPIM

Μονούλες IGBT EconoPack

Μονούλες IGBT EconoPIM

Μοδούλες αυτοκινήτων