Το DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0Η γέφυρα Μοσφέτ 1200V 450A ODM
Στερεά ισχύος-DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0.
1200V 450A IGBT Το μισό. Γέφυρα Μονάδα
Χαρακτηριστικά:
Π 1200V τεχνολογία Trench+ Field Stop
□ Δίοδοι ελεύθερης τροχιάς με γρήγορη και απαλή ανάκτηση
□ VCE(sat)με θετικό συντελεστή θερμοκρασίας
□ Μικρές απώλειες μετάλλαξης
□ Δυνατότητα βραχυκύκλωσης
□ Ενσωματωτική θέρμανση
□ Ζυθοποιία
□ Εφαρμογή μετατροπής υψηλής συχνότητας
Πακέτο IGBT
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
|
Η τάση δοκιμής απομόνωσης
|
ΒΙΣΟΛ |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
kV |
|
Υλικό της πλάκας βάσης του μοντέλου
|
|
|
Κου |
|
|
Εσωτερική απομόνωση
|
|
(κλάση 1, IEC 61140)
Βασική μόνωση (κλάση 1, IEC 61140)
|
Αλ2Ο3 |
|
|
Απόσταση έλξης
|
Κρίπ |
Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα |
29.0 |
χμ |
| Κρίπ |
από τερματικό σε τερματικό |
23.0 |
|
Αδειοδότηση
|
dΚαθαρή |
Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα |
23.0 |
χμ |
| dΚαθαρή |
από τερματικό σε τερματικό |
11.0 |
|
Συγκριτικός δείκτης παρακολούθησης
|
ΚΤΠ |
|
> 400 |
|
| |
|
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
| - Μίνι. |
Τύπος. |
Μαξ. Μαξ. |
|
Μονάδα παραστρατημένης επαγωγικότητας
|
ΕΛΣΕ |
|
|
20 |
|
nH |
|
Αντίσταση μολύβδου μονάδας, τερματικά - τσιπ
|
RCC+EE |
|
ΤΓ= 25°C |
|
0.70 |
|
mΩ |
|
Θέρμανση αποθήκευσης
|
Tstg |
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
Δρόμος τοποθέτησης για την τοποθέτηση της μονάδας
|
Επενδύσεις |
|
3.0 |
|
6.0 |
Νμ |
|
Δρόμος σύνδεσης τερματικού σημείου
|
M6 |
|
2.5 |
|
5.0 |
Νμ |
|
Βάρος
|
G |
|
|
320 |
|
g |
Μέγιστο IGBT Αξιολογημένη Αξίες
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
|
Δυνατότητα συλλέκτη-εκδότη
|
ΕΣΕΣ |
|
Τvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Μέγιστη τάση εκπομπής πύλης
|
ΒΓΕΣ |
|
±20 |
V |
|
Τροποποιημένη τάση πύλης-εκδότη
|
ΒΓΕΣ |
tp≤ 10μs, D=0.01 |
±30 |
V |
|
Συνεχή ρεύμα συνεχούς ρεύματος συλλέκτη
|
Εγώ...Γ |
|
ΤΓ= 25°C |
675 |
Α |
| ΤΓ= 100°C |
450 |
|
Πυκνωμένο ρεύμα συλλέκτη,tp περιορισμένο από Tjmax
|
ICpulse |
|
900 |
Α |
|
Απορρόφηση ισχύος
|
Πtot |
|
1875 |
W |
Χαρακτηριστικό Αξίες
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
| - Μίνι. |
Τύπος. |
Μαξ. Μαξ. |
|
Η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκδότη
|
VCE(sat) |
Εγώ...Γ=450A, VΓενικά=15V |
Τvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Τvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Τvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Δυναμική τάση κατώτατης τάσης
|
ΕΠΕ (η) |
VCE= VΓενικάΕγώ...Γ= 18mA |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
Δράση διακοπής συλλέκτη-εκδότη
|
ICES |
VCE=1200V, VΓενικά=0V |
Τvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Τvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
ρεύμα διαρροής από τον εκδότη πύλης
|
ΙΓΕΣ |
VCE=0V,VΓενικά=±20V, Tvj= 25°C |
-200 δολάρια |
|
200 |
nΑ |
|
Χρέωση πύλης
|
QG |
VCE=600V, IΓ= 450A, VΓενικά=±15V |
|
5.0 |
|
μC |
|
Εισαγωγική χωρητικότητα
|
Σημεία |
VCE= 25V, VΓενικά=0V, f =100kHz |
|
90.0 |
|
nF
|
|
Δυνατότητα παραγωγής
|
Κουέ |
|
2.84 |
|
|
Αντίστροφη μεταφοράς χωρητικότητας
|
Κρέας |
|
0.81 |
|
|
Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο
|
Επικαιροποιημένο |
VCC= 600V,IΓ=450A RG=1,8Ω,
VΓενικά=15V
|
Τvj= 25°C |
|
168 |
|
σ |
| Τvj= 125°C |
|
172 |
|
σ |
| Τvj= 150°C |
|
176 |
|
σ |
|
Χρόνος άνοδος, επαγωγικό φορτίο
|
tr |
Τvj= 25°C |
|
80 |
|
σ |
| Τvj= 125°C |
|
88 |
|
σ |
| Τvj= 150°C |
|
92 |
|
σ |
|
Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο
|
ΔΕΔ (εκκλεισμός) |
VCC= 600V,IΓ=450A RG=1,8Ω,
VΓενικά=15V
|
Τvj= 25°C |
|
624 |
|
σ |
| Τvj= 125°C |
|
668 |
|
σ |
| Τvj= 150°C |
|
672 |
|
σ |
|
Ώρα πτώσης, επαγωγικό φορτίο
|
tf |
Τvj= 25°C |
|
216 |
|
σ |
| Τvj= 125°C |
|
348 |
|
σ |
| Τvj= 150°C |
|
356 |
|
σ |
|
Απώλεια ενέργειας ανά παλμό
|
Εων |
VCC= 600V,IΓ=450A RG=1,8Ω,
VΓενικά=15V
|
Τvj= 25°C |
|
17.2 |
|
mJ |
| Τvj= 125°C |
|
27.1 |
|
mJ |
| Τvj= 150°C |
|
30.0 |
|
mJ |
|
Απενεργοποιήστε την απώλεια ενέργειας ανά παλμό
|
Εφ |
Τvj= 25°C |
|
52.3 |
|
mJ |
| Τvj= 125°C |
|
64.3 |
|
mJ |
| Τvj= 150°C |
|
67.1 |
|
mJ |
|
Δεδομένα SC
|
ΕΣΚ |
VΓενικά≤ 15V, VCC=800V |
tp≤10μs Tvj= 150°C |
|
|
2000 |
Α |
|
Θερμική αντίσταση IGBT, θήκη σύνδεσης
|
RthJC |
|
|
|
0.08 |
Κ / Δ |
|
Θερμοκρασία λειτουργίας
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Διοδή Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
|
Επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση
|
VRRM |
|
Τvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Συνεχή συνεχής τάση προς τα εμπρός
|
Εγώ...F |
|
450 |
Α
|
|
Διοδικό παλμικό ρεύμα,tp περιορισμένο από TJmax
|
IFpulse |
|
900 |
Χαρακτηριστικό Αξίες
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
| - Μίνι. |
Τύπος. |
Μαξ. Μαξ. |
|
Προχωρημένη τάση
|
VF |
Εγώ...F= 450A, VΓενικά=0V |
Τvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Τvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Τvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης
|
trr |
Εγώ...F=450A
ΔΙF/dt=-5600A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600V,
VΓενικά=-15V
|
Τvj= 25°C |
|
134 |
|
σ
|
| Τvj= 125°C |
216 |
| Τvj= 150°C |
227 |
|
Πιο υψηλό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης
|
ΔΕΔΜ |
Τvj= 25°C |
|
317 |
|
Α
|
| Τvj= 125°C |
376 |
| Τvj= 150°C |
379 |
|
Επιστροφή των τελών ανάκτησης
|
Επικαιροποίηση |
Τvj= 25°C |
|
40.5 |
|
μC
|
| Τvj= 125°C |
63.2 |
| Τvj= 150°C |
65.4 |
|
Απώλεια ενέργειας αντιστροφής ανά παλμό
|
Ερέκ |
Τvj= 25°C |
|
15.9 |
|
mJ
|
| Τvj= 125°C |
27.0 |
| Τvj= 150°C |
28.1 |
|
Θερμική αντίσταση διόδου, θήκη σύνδεσης
|
RthJCD |
|
|
|
0.13 |
Κ / Δ |
|
Θερμοκρασία λειτουργίας
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Αποδόσεις χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Απόδοση χαρακτηριστικό (συνηθισμένο)
Εγώ...Γ= f (VCE) ΙΓ= f (VCE) Τvj= 150°C
IGBT
Μεταφορά χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Μετατροπή απώλειες IGBT(τυπικό)
Εγώ...Γ= f (VΓενικά) Ε = f (RG)
VCE= 20V VΓενικά= ±15V, IΓ= 450A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Ανταλλαγή απώλειες IGBT(τυπικό) Πίσω Προορισμός Ασφαλές λειτουργία Περιοχή (RBSOA)
E = f (IΓ) ΙΓ=f (VCE)
VΓενικά= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600V VΓενικά= ±15V, RΓκόφ= 3,3Ω, Tvj= 150°C
Τυπικό χωρητικότητα ως Α λειτουργία του συλλέκτης-εκδότης Πύλη τάσης χρέωση(τυπικό)
C = f (V)CE) VΓενικά= f (QG)
f = 100 kHz, VΓενικά= 0V IΓ= 450A, VCE= 600V
IGBT
IGBT μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του σφυγμό πλάτος Προς τα εμπρός χαρακτηριστικό του Διοδή (τυπικό)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
Ανταλλαγή απώλειες Δίοδος (συνηθισμένη) Διακόπτης απώλειες Δίοδος (συνηθισμένη)
ΕRec= f (RG) ΕRec= f (IF)
Εγώ...F= 450A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Διοδή μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του σφυγμόπλάτος
Zth(j-c) = f (t)
Ένα IGBT 1200V (Insulated Gate Bipolar Transistor) είναι μια ημιαγωγική συσκευή με ονομαστική τάση 1200 βολτ.Αυτός ο τύπος συσκευής χρησιμοποιείται συνήθως σε εφαρμογές υψηλής τάσης, όπως μετατροπείς ισχύος και κινητήρες.
Βασικά σημεία:
1. Διάταξη τάσης (1200V): Δείχνει τη μέγιστη τάση που μπορεί να χειριστεί το IGBT. Κατάλληλο για εφαρμογές που απαιτούν έλεγχο υψηλής τάσης,Με εξαίρεση τα ηλεκτρικά κινητήρα.
2. Εφαρμογές: Τα IGBT 1200V είναι κοινά σε τομείς υψηλής ισχύος, όπως οι κινητήρες βιομηχανικών κινητήρων, οι αδιάλειπτες πηγές ρεύματος (UPS), τα συστήματα ανανεώσιμης ενέργειας κλπ.όπου απαιτείται ακριβής έλεγχος της υψηλής τάσης.
3. Ταχύτητα εναλλαγής: Τα IGBT μπορούν να ενεργοποιούνται και να απενεργοποιούνται γρήγορα, καθιστώντας τα κατάλληλα για εφαρμογές που απαιτούν εναλλαγή υψηλής συχνότητας.Ειδικά χαρακτηριστικά εναλλαγής εξαρτώνται από το μοντέλο και τον κατασκευαστή.
4. Απαιτήσεις ψύξης:** Όπως και πολλές ηλεκτρονικές συσκευές ισχύος, οι IGBT παράγουν θερμότητα κατά τη διάρκεια της λειτουργίας.συχνά απαιτούνται για να εξασφαλιστεί η απόδοση και η αξιοπιστία της συσκευής.
5. φύλλο δεδομένων:Για λεπτομερείς πληροφορίες σχετικά με ένα συγκεκριμένο IGBT 1200V, είναι απαραίτητο να ανατρέξετε στο δελτίο δεδομένων του κατασκευαστή.ηλεκτρικά χαρακτηριστικά, και κατευθυντήριες γραμμές για την εφαρμογή και τη θερμική διαχείριση.
Κατά τη χρήση ενός IGBT 1200V σε κύκλωμα ή σύστημα, οι σχεδιαστές πρέπει να λαμβάνουν υπόψη παράγοντες όπως απαιτήσεις κίνησης πύλης, μηχανισμούς προστασίας,και θερμικές εκτιμήσεις για τη διασφάλιση της ορθής και αξιόπιστης λειτουργίας.
Κύκλος διάγραμμα τίτλος
Πακέτο περιγράμματα
Μέγεθος σε χιλιοστά
χμ
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
