1200V 300A SiC MOSFET Μονάδα μισής γέφυρας Ημιαγωγός DS-SPS300MB12G6S-S04310004

MOSFET

Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/ Μέγιστο ποσό值

Άρθρο

Σύμβολο

Προϋποθέσεις

Αξία

Μονάδες

漏极-源极 ηλεκτρική τάση

Η τάση της πηγής αποχέτευσης

VΔΣΣ

Τvj= 25°C

1200

V

συνεχής διαρροή άμεση ροή

Συνεχίστεσ Δ.Σ. ρεύμα αποχέτευσης

Εγώ...D

VGS=20V, TΓ= 25°C, Tvjmax= 175°C

VGS=20V, TΓ= 85°C, Tvjmax= 175°C

400

300

Α

脉冲漏极 ηλεκτρικό ρεύμα

Πύκνωση αποχέτευσης ρεύμα

Εγώ...D σφυγμό

πλάτος παλμού tpπεριορισμένη απόΤvjmax

1200

Α

συνολική απώλεια ισχύος

Συνολικά Δύναμη διαλύεταιΕπικοινωνία

ΠΠληροφορίες

ΤΓ= 25°C,Τvjmax= 175°C

1153

W

Η τάση της κορυφής

Μέγιστη πύλη- τάση πηγής

VΓΣΣ

-10/25

V

ΧαρακτήραςΔοκιμαστική/ 特征值

Άρθρο

Σύμβολο

Προϋποθέσεις

- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

Μονάδες

漏极-源极通态 ηλεκτρική αντίσταση

Η πηγή αποστράγγισης είναι ανοιχτή αντίσταση

RΔΕ( σε)

Εγώ...D= 300A,VGS=20V

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

4.0

5.4 6.0

5.6

mΩ

mΩ

mΩ

Δύναμη ρεύματος

Οριακό όριο πύληςτάση

VΓΓ (η)

Εγώ...Γ= 90mA, VCE= VΓενικά, Τvj= 25°C

Εγώ...Γ= 90mA, VCE= VΓενικά, Τvj= 150°C

1.9

2.4

1.6

4.0

V

跨导

Μεταγωγικότητα

γφς

VΔΕ = 20 V, Εγώ...ΔΕ = 300 Α, Τvj= 25°C

VΔΕ = 20 V, Εγώ...ΔΕ = 300 Α, Τvj= 150°C

211

186

S

∆ιεθνής

Πύλη χρέωση

QG

VΓενικά=-5V...+20V

1170

nC

εσωτερική ρητή ηλεκτρική αντίσταση

Εσωτερική πύλη αντίσταση

RΓύμνος

Τvj= 25°C

2.0

Ω

εισερχόμενη χωρητικότητα

Περιορισμός εισόδουακετανία

Γε

f=1MHz,Tvj= 25°C, VΔΕ=1000V, VΚλιματισμός=25mV, VΓενικά=0V

25.2

nF

ισχύος εξόδου

Αποδόσεις χωρητικότητα

Γες

f=1MHz,Tvj= 25°C, VΔΕ=1000V, VΚλιματισμός=25mV, VΓενικά=0V

1500

pF

Αντίστροφη ισχύ μεταφοράς

Αντίστροφη στροφήχωρητικότητα σφαίρας

Γα

f=1MHz,Tvj= 25°C, VΔΕ=1000V, VΚλιματισμός=25mV, VΓενικά=0V

96

pF

零?? ηλεκτρική πίεση 漏极电流

Μηδενική πύλη vγήρανση αποχέτευση ρεύμα

Εγώ...ΔΣΣ

VΔΕ=1200V, VGS=0V, Tvj= 25°C

300

μΑ

ἀνέκαμψη-源极 漏电流

Πηγή πύλης τορεύμα ακαζίας

Εγώ...ΓΣΣ

VΔΕ=0V, VGS=20V, Tvj= 25°C

100

nΑ

开通延迟时间 (Ανοίξτε την αναβολή)( ηλεκτρικό φορτίο)

Ενεργοποίηση χρόνος καθυστέρησης, επαγωγική φορτίο

td( σε)

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

76

66

66

σ

σ

σ

Εύξηση χρόνου( ηλεκτρικό φορτίο)

Ώρα να σηκωθούμε. επαγωγική φορτίο

tr

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

62

56

56

σ

σ

σ

关断延迟时间 (Καταλείψτε την καθυστέρηση)( ηλεκτρικό φορτίο)

Διάλειψηη ώρα της εκτόξευσης, επαγωγική φορτίο

td(Κλείσε)

Εγώ...D= 300A, VΔΕ=600V

VGS=-5/20V

RΓκόν= 2,5Ω

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

308

342

342

σ

σ

σ

Κατώτερος χρόνος( ηλεκτρικό φορτίο)

Το φθινόπωρο. επαγωγική φορτίο

tf

RΓκοφ.= 2,5Ω

Λσ = 56 nH

Ενσωματωτικό Λοάδ,

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

94

92

92

σ

σ

σ

开通 损耗能量(Κάθε παλμός)

Ενεργοποίηση ενέργεια απώλεια κατά που- Ναι.

Εσε

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

5.55

4.35

4.35

mJ

mJ

关断损耗能量 (Κατακόμιση της ενέργειας)(Κάθε παλμός)

Ενέργεια απενεργοποίησης απώλεια κατά σφυγμό

ΕΚλείσε

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

12.10

12.35

12.35

mJ

mJ

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

RτοJC

Κατά MOSFET / Ο καθένας. ΔΕΣΜΕΤ

0.12

Κ/Δ

εργασιακή θερμοκρασία

Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις

Τvjop

-40150

°C

Διοδή/二极管

Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/ μέγιστη定值

Άρθρο

Σύμβολο

Προϋποθέσεις

Αξία

Μονάδες

συνεχής κατευθυνόμενη άμεση ροή ηλεκτρική ροή

Συνεχή διόδια γιακλινική ρεύμα

Εγώ...F

VGS = -5 V, ΤΓ = 25 ̊C

400

Α

ΧαρακτήραςΔοκιμαστική/ 特征值

Άρθρο

Σύμβολο

Προϋποθέσεις

- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

Μονάδες

Δίπλωμα ηλεκτρικής τάσης

Προχωρημένη τάση

VSD

Εγώ...F= 300A, VGS=0V

Τvj= 25°C Τvj= 150°C

1.60

2.00

1.80

V

V

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

RτοJC

ανά διόδη/ Κάθε διωχτήρα

0.13

Κ/Δ

εργασιακή θερμοκρασία

Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις

Τvjop

-40 150

°C

Μονάδα/ 模块

Άρθρο

Σύμβολο

Προϋποθέσεις

Αξία

Μονάδες

绝缘 δοκιμαστική τάση

Απομόνωσητάση δοκιμής

VΙΣΟΛ

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Υλικό Μονάδα Πλακέτα βάσης

Κου

Εσωτερική απομόνωση

Εσωτερικό απομόνωση

基本绝缘(κατηγορία 1, Εγώ...ΕΟΚ 61140)

Βασικό μόνωση (κατηγορία 1, ΔΕΠ 61140)

Αλ2Ο3

爬电距离

Κρίπτιγκ disΤανς

端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

29.0

23.0

χμ

ηλεκτρικός χώρος

Αδειοδότηση

端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

23.0

11.0

χμ

Σχετικό δείκτη ηλεκτρικών σημάτων

Συγκριτική παρακολούθηση δείκτη

ΚΤΠ

> 400

Άρθρο

Σύμβολο

Προϋποθέσεις

- Μίνι.

Τύπος.

Μαξ. Μαξ.

Μονάδες

杂散电感,模块 Ηλεκτρική αίσθηση διαχωρισμού

Αγνοούμενος επαγωγικότητα Μονάδα

ΑsCE

20

nH

μοντέλο ηλεκτρικής αντίστασης καλωδίου,端子-Τσιπ

Μονάδα μολύβι αντίσταση, τερματικά - τσιπ

RCC+EE

ΤΓ= 25°C

0.465

mΩ

θερμοκρασία αποθήκευσης

Αποθήκευσηδιαμέρισμα

Τστγ

-40

125

°C

模块安装的安装扭矩

Δρόμος τοποθέτησηςπου για Μονάδα τοποθέτηση

Επενδύσεις

2.50

5.00

Νμ

端子 联接 στροφή

Σύνδεση τερματικού σταθμούn ροπή

M6

3.00

5.00

Νμ

Βάρος

Βάρος

G

300

g