Λεπτομέρειες για το προϊόν
Αριθμό μοντέλου: SPS200B12G6H4
Όροι πληρωμής και αποστολής
Ρεύμα συλλεκτών: |
100A |
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών: |
2.5V |
Τάση συλλέκτης-εκπομπών: |
±1200V |
Τρέχουσα αξιολόγηση: |
100A |
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών: |
±10μA |
Τάση κατώτατων ορίων πύλη-εκπομπών: |
5V |
Τάση πύλη-εκπομπών: |
±20V |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
150°C |
Τύπος ενότητας: |
IGBT |
Τύπος συσκευασίας: |
62 χιλιοστά |
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο: |
10 μs |
συχνότητα εναλλαγής: |
20KHZ |
Θερμική αντοχή: |
0.1°C/W |
Κατηγορία τάσης: |
1200V |
Ρεύμα συλλεκτών: |
100A |
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών: |
2.5V |
Τάση συλλέκτης-εκπομπών: |
±1200V |
Τρέχουσα αξιολόγηση: |
100A |
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών: |
±10μA |
Τάση κατώτατων ορίων πύλη-εκπομπών: |
5V |
Τάση πύλη-εκπομπών: |
±20V |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
150°C |
Τύπος ενότητας: |
IGBT |
Τύπος συσκευασίας: |
62 χιλιοστά |
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο: |
10 μs |
συχνότητα εναλλαγής: |
20KHZ |
Θερμική αντοχή: |
0.1°C/W |
Κατηγορία τάσης: |
1200V |
Η ισχύς των συστημάτων που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας είναι η ισχύς των συστημάτων που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας.
1200V 200A IGBT Το μισό. Γέφυρα Μονάδα
Χαρακτηριστικά:
Τυπικό Εφαρμογές:
IGBT, Μετατροπέας / IGBT, αναστροφικό
Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/ Η μέγιστη καθορισμένη τιμή |
|||||||
Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξία |
Μονάδες |
|||
集电极- εκπομπή 极电压 Συλλέκτης-εκδότηςτάση |
VCES |
Τvj= 25°C |
1200 |
V |
|||
συνεχής ρεύμα ρεύμα ρεύμα Συνεχή Δ.Σ. συλλέκτηρεύμα ρεύματος |
Εγώ...Γ |
ΤΓ = 100°C, Τvj μέγιστο= 175°C ΤΓ = 25°C, Τvj μέγιστο= 175°C |
200
280 |
Α Α |
|||
集电极重复峰值电流 (Σύνοδος ηλεκτρικού ρεύματος) Πύργος ΕπαναλαμβάνωΕπικεφαλής ρεύμα συλλέκτη |
Εγώ...CRM |
tp=1 ms |
400 |
Α |
|||
συνολική απώλεια ισχύος Συνολικά Δύναμη διαλύεταιΕπικοινωνία |
ΠΠληροφορίες |
ΤΓ= 25°C, Tvj= 175°C |
1070 |
W |
|||
Δύναμη εκτόξευσης Μέγιστο όριοτάση ηλεκτρονικού εκδότη |
VΓΕΣ |
±20 |
V |
||||
Χαρακτηριστικές αξίες/ 特征值 |
|||||||
Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ. |
Μονάδες |
|||
集电极- εκπομπή 极?? και ηλεκτρική τάση Συλλέκτης-εκδότης saturatiσε τάση |
VCE(έμεινε) |
Εγώ...Γ=200A,VΓενικά=15V |
Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C |
1.50 |
2.40 2.95 3.00 |
3.00 |
V V V |
Δύναμη ρεύματος Οριακό όριο πύληςτάση |
VΓΕ (η) |
Εγώ...Γ=8mA, VCE= VΓενικά, Τvj= 25°C |
5.0 6.0 7.0 |
V |
|||
∆ιεθνής Πύλη χρέωση |
QG |
VΓενικά=-15V...+15V |
0.8 |
μC |
|||
εσωτερική ρητή ηλεκτρική αντίσταση Εσωτερική πύλη αντίσταση |
RΓύμνος |
Τvj= 25°C |
2.5 |
Ω |
|||
εισερχόμενη χωρητικότητα Περιορισμός εισόδουακετανία |
Γε |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VΓενικά=0V |
8.76 |
nF |
|||
Αντίστροφη ισχύ μεταφοράς Αντίστροφη στροφήχωρητικότητα σφαίρας |
Γα |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VΓενικά=0V |
0.40 |
nF |
|||
集电极- Εκτόξευση 截止电流 Συλλέκτης-εκδότης διαχωριστικό όριο cχρέος |
Εγώ...CES |
VCE=1200V, VΓενικά=0V, Tvj=25°C |
5.00 |
mA |
|||
ἀνέκαμψη- Ρίχτης ρύπανσης Εκδότης πύλης διαρροή ρεύμα |
Εγώ...ΓΕΣ |
VCE=0V, VΓενικά=20V, Tvj= 25°C |
200 |
nΑ |
|||
开通延迟时间 (Ανοίξτε την αναβολή)( ηλεκτρικό φορτίο) Ενεργοποίηση χρόνος καθυστέρησης, επαγωγική φορτίο |
td( σε) |
Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C |
65 75
75 |
σ σ σ |
|||
Εύξηση χρόνου( ηλεκτρικό φορτίο) Ώρα να σηκωθούμε. επαγωγική φορτίο |
tr |
Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C |
45 55
55 |
σ σ σ |
|||
关断延迟时间 (Καταλείψτε την καθυστέρηση)( ηλεκτρικό φορτίο) Διάλειψηη ώρα της εκτόξευσης, επαγωγική φορτίο |
td(Κλείσε) |
Εγώ...Γ=200A, VCE=600V VΓενικά=±15V RΓκόν=3,3 Ω RΓκοφ.=3,3 Ω
Ενσωματωτικό Λοδιαφημιστικό |
Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C |
205 230
235 |
σ σ σ |
||
Κατώτερος χρόνος( ηλεκτρικό φορτίο) Το φθινόπωρο. επαγωγική φορτίο |
tf |
55 85
85 |
σ σ σ |
||||
开通 损耗能量(Κάθε παλμός) Ενεργοποίηση ενέργεια απώλεια κατά που- Ναι. |
Εσε |
Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C |
16.7 26.4 28.2 |
mJ mJ mJ |
|||
关断损耗能量 (Κατακόμιση της ενέργειας)(Κάθε παλμός) Ενέργεια απενεργοποίησης απώλεια κατά σφυγμό |
ΕΚλείσε |
Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C |
4.9 8.8 9.6 |
mJ mJ mJ |
|||
σύντομος δρόμος SC δεδομένα |
Εγώ...SC |
VΓενικά≤ 15V, VCC=800V VCEmax= VCES-Τι;sCE·di/dt, tp=10μs, Tvj= 150°C |
800 |
Α |
|||
结-外 热阻 Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση |
RτοJC |
Κατά IGBT / Ο καθένας. IGBT |
0.14 |
Κ/Δ |
εργασιακή θερμοκρασία Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις |
Τvjop |
-40 |
150 |
°C |
|||
Διοδή, μετατροπέας/ Δυστυχώς, δεν υπάρχει. Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/ μέγιστη μέγιστη τιμή |
|||||||
Άρθρο |
Σύμβολο Cσυνθήκες |
Αξία |
Μονάδες |
||||
Αντίστροφη επανάληψη κορυφαίας τάσης Πύργος επαναλαμβανόμενο αντίστροφη τάσηε |
VΕπενδύσεις Τvj= 25°C |
1200 |
V |
||||
συνεχής κατευθυνόμενη άμεση ροή ηλεκτρική ροή Συνεχή DC γιαρεύμα του τμήματος |
Εγώ...F |
200 |
Α |
||||
Ηλεκτρικό ρεύμα κορυφής Πύργος επαναλαμβανόμενο ρεύμα προς τα εμπρός |
Εγώ...Επενδύσεις tp=1 ms |
400 |
Α |
||||
Χαρακτηριστικές αξίες/ 特征值 |
|||||||
Άρθρο |
ΣύμβολοΠροϋποθέσεις |
- Μίνι. Τύπος. |
Μαξ. Μαξ. |
Μονάδες |
|||
Δίπλωμα ηλεκτρικής τάσης Προχωρημένη τάση |
VF Εγώ...F=200A |
Τvj= 25°C Τvj= 125°CΤvj= 150°C |
1.50 |
1.80 1.80 1.80 |
2.40 |
V V V |
|
Αντίστροφη ανάκτηση κορυφαίας ηλεκτρικής ροής
Πύργος Αντίστροφη ανάκτηση γχρέος |
Εγώ...RM
Qr
ΕRec |
Εγώ...F=200A -di/dt=3200A/μs VR = 600V
VΓενικά=-15V |
Τvj= 25°C Τvj= 125°CΤvj= 150°CΤvj= 25°C Τvj= 125°CΤvj= 150°CΤvj= 25°C Τvj= 125°CΤvj= 150°C |
140 140
140 |
Α Α Α |
||
Αντίστροφος επαναληπτικός ηλεκτρισμός Τέλος είσπραξης |
14.5 22.528.0 |
μC μC μC |
|||||
Αντίστροφη απώλεια αποκατάστασης Πίσω ανάκτηση ενέργεια (ανά σφυγμό) |
4.5 8.7 9.9 |
mJ mJ mJ |
|||||
结-外 热阻 Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση |
RτοJC Για κάθε διόδη Κάθε个二极管 |
0.23 |
Κ/Δ |
||||
εργασιακή θερμοκρασία Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις |
Τvjop |
-40 |
150 |
°C |
Μονάδα/ 模块 |
||||
Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξία |
Μονάδες |
绝缘 δοκιμαστική τάση Απομόνωσητάση δοκιμής |
VΙΣΟΛ |
RMS, f=50Hz, t=1min |
3.0 |
kV |
模块基板材料 Υλικό Μονάδα Πλακέτα βάσης |
Κου |
|||
Εσωτερική απομόνωση Εσωτερικό απομόνωση |
基本绝缘(κατηγορία 1, Εγώ...ΕΟΚ 61140) Βασικό μόνωση (κατηγορία 1, ΔΕΠ 61140) |
Αλ2Ο3 |
||
爬电距离 Κρίπτιγκ disΤανς |
端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση 端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ |
29.0 23.0 |
χμ |
|
ηλεκτρικός χώρος Αδειοδότηση |
端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση 端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ |
23.0 11.0 |
χμ |
|
Σχετικό δείκτη ηλεκτρικών σημάτων ΣυγκριτικόΗ παρακολούθηση δείκτη |
ΚΤΠ |
> 400 |
Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
- Μίνι. |
Τύπος. |
Μαξ. Μαξ. |
Μονάδες |
杂散电感,模块 Ηλεκτρική αίσθηση διαχωρισμού Αγνοούμενος επαγωγικότητα Μονάδα |
ΑsCE |
20 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子-Τσιπ
Μονάδα Σημείωση: Αντίσταση ,Τερματικά-Γισχίο |
RCC ̇+EE RΑΑ+CC ̇ |
0.7 |
mΩ |
|||
θερμοκρασία αποθήκευσης
Αποθήκευσηδιαμέρισμα |
Τστγ |
-40 |
125 |
°C |
||
Μοντέλο εγκατάστασης της εγκατάστασης στροφή απόσταση Δρόμος τοποθέτησηςπου για Μονάδα τοποθέτηση |
Μ |
M6 |
3.00 |
6.00 |
Νμ |
|
端子联接 στροφή απόσταση Σύνδεση τερματικού σταθμούn ροπή |
Μ |
M6 |
2.50 |
5.00 |
Νμ |
|
Βάρος
Βάρος |
G |
320 |
g |
IGBT IGBT
Χαρακτηριστικό εξόδου IGBT, Inverter (τυπικό) Χαρακτηριστικό εξόδου IGBT, Inverter (τυπικό)
Εγώ...Γ=f (VCE) ΙΓ=f(VCE)
VΓενικά=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Χαρακτηριστικό μεταφοράς IGBT, Inverter (τυπικό) Χαρακτηριστικό μεταφοράς IGBT, Inverter (τυπικό)
IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)
Επικαιροποιημένη μέθοδος για την αξιολόγηση της συμμόρφωσης
IGBT IGBT
Απώλειες διακόπτη IGBT, Inverter (τυπική) Διαλείπουσα θερμική αντίσταση IGBT, Inverter
Ε=f (RG) ZthJC=f (t)
Διάταξη 1
IGBT
Ασφαλής λειτουργική περιοχή IGBT, Inverter (RBSOA) Προχωρητικό χαρακτηριστικό της διόδου, Inverter (τυπικό)
IC=f (VCE) IF=f (VF)
Το VGE=±15V, το RGoff=3,3 Ω, το Tvj=150°C
Απώλειες διακόπτη Δίοδος, μετατροπέας (τυπική) Απώλειες διακόπτη Δίοδος, μετατροπέας (τυπική)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
Διάταξη 1
Επενδύσεις
ΔΕΔ με παροδική θερμική αντίσταση, μετατροπέας
Δοκιμαστική μονάδα
Το "1200V 200A IGBT Half Bridge Module" ενσωματώνει δύο IGBT σε διαμόρφωση μισής γέφυρας για εφαρμογές που απαιτούν έλεγχο των επιπέδων μέτριας έως υψηλής τάσης και ρεύματος.Η αποτελεσματική ψύξη είναι ζωτικής σημασίας, και λεπτομερείς προδιαγραφές στο δελτίο δεδομένων του κατασκευαστή.
Κύκλος διάγραμμα τίτλος
Πακέτο περιγράμματα