Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
προϊόντα
προϊόντα
Σπίτι > προϊόντα > Μονούλες IGBT 62mm > 200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αριθμό μοντέλου: SPS200B12G6H4

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

Μονάδα μισής γέφυρας 200A IGBT

,

Μονάδα μισής γέφυρας 200A

,

62 mm IGBT Μονάδα μισής γέφυρας

Ρεύμα συλλεκτών:
100A
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών:
2.5V
Τάση συλλέκτης-εκπομπών:
±1200V
Τρέχουσα αξιολόγηση:
100A
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών:
±10μA
Τάση κατώτατων ορίων πύλη-εκπομπών:
5V
Τάση πύλη-εκπομπών:
±20V
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
150°C
Τύπος ενότητας:
IGBT
Τύπος συσκευασίας:
62 χιλιοστά
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:
10 μs
συχνότητα εναλλαγής:
20KHZ
Θερμική αντοχή:
0.1°C/W
Κατηγορία τάσης:
1200V
Ρεύμα συλλεκτών:
100A
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών:
2.5V
Τάση συλλέκτης-εκπομπών:
±1200V
Τρέχουσα αξιολόγηση:
100A
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών:
±10μA
Τάση κατώτατων ορίων πύλη-εκπομπών:
5V
Τάση πύλη-εκπομπών:
±20V
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
150°C
Τύπος ενότητας:
IGBT
Τύπος συσκευασίας:
62 χιλιοστά
Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:
10 μs
συχνότητα εναλλαγής:
20KHZ
Θερμική αντοχή:
0.1°C/W
Κατηγορία τάσης:
1200V
200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

 

 

Η ισχύς των συστημάτων που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας είναι η ισχύς των συστημάτων που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας.


1200V 200A IGBT Το μισό. Γέφυρα Μονάδα

 

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 0

 

Χαρακτηριστικά:

  • Τεχνολογία 1200V Planar Field Stop
  • Δίοδοι ελεύθερης τροχιάς με γρήγορη και μαλακή ανάκτηση αντίστροφης ενέργειας
  • Μικρές απώλειες μετάβασης
  • Υψηλή ικανότητα RBSOA

 

Τυπικό Εφαρμογές:

  • Ενεργειακή θέρμανση
  • Επεξεργασία με συγκόλληση
  • Εφαρμογή εναλλαγής υψηλής συχνότητας

 

IGBT, Μετατροπέας / IGBT, αναστροφικό

 

Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/ Η μέγιστη καθορισμένη τιμή

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδες

 

集电极- εκπομπή 极电压

Συλλέκτης-εκδότηςτάση

 

VCES

 

Τvj= 25°C

 

1200

 

V

 

συνεχής ρεύμα ρεύμα ρεύμα

Συνεχή Δ.Σ. συλλέκτηρεύμα ρεύματος

 

Εγώ...Γ

 

ΤΓ = 100°C, Τvj μέγιστο= 175°C

ΤΓ = 25°C, Τvj μέγιστο= 175°C

 

200

 

280

 

Α

Α

 

集电极重复峰值电流 (Σύνοδος ηλεκτρικού ρεύματος)

Πύργος ΕπαναλαμβάνωΕπικεφαλής ρεύμα συλλέκτη

 

Εγώ...CRM

 

tp=1 ms

 

400

 

Α

 

συνολική απώλεια ισχύος

Συνολικά Δύναμη διαλύεταιΕπικοινωνία

 

ΠΠληροφορίες

 

ΤΓ= 25°C, Tvj= 175°C

 

1070

 

W

 

Δύναμη εκτόξευσης

Μέγιστο όριοτάση ηλεκτρονικού εκδότη

 

VΓΕΣ

 

 

±20

 

V

 

 

 

Χαρακτηριστικές αξίες/ 特征值

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

 

Μονάδες

 

集电极- εκπομπή 极?? και ηλεκτρική τάση

Συλλέκτης-εκδότης saturatiσε τάση

 

VCE(έμεινε)

 

Εγώ...Γ=200A,VΓενικά=15V

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

 

1.50

 

2.40

2.95

3.00

 

3.00

 

V

V

V

 

Δύναμη ρεύματος

Οριακό όριο πύληςτάση

 

 

VΓΕ (η)

 

Εγώ...Γ=8mA, VCE= VΓενικά, Τvj= 25°C

 

 

5.0 6.0 7.0

 

V

 

∆ιεθνής

Πύλη χρέωση

 

QG

 

 

VΓενικά=-15V...+15V

 

0.8

 

μC

 

εσωτερική ρητή ηλεκτρική αντίσταση

Εσωτερική πύλη αντίσταση

 

RΓύμνος

 

Τvj= 25°C

 

 

2.5

 

Ω

 

εισερχόμενη χωρητικότητα

Περιορισμός εισόδουακετανία

 

Γε

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VΓενικά=0V

 

8.76

 

nF

 

Αντίστροφη ισχύ μεταφοράς

Αντίστροφη στροφήχωρητικότητα σφαίρας

 

Γα

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VΓενικά=0V

 

 

0.40

 

nF

 

集电极- Εκτόξευση 截止电流

Συλλέκτης-εκδότης διαχωριστικό όριο cχρέος

 

 

Εγώ...CES

 

VCE=1200V, VΓενικά=0V, Tvj=25°C

 

5.00

 

 

mA

 

ἀνέκαμψη- Ρίχτης ρύπανσης

Εκδότης πύλης διαρροή ρεύμα

 

Εγώ...ΓΕΣ

 

 

VCE=0V, VΓενικά=20V, Tvj= 25°C

 

200

 

 

开通延迟时间 (Ανοίξτε την αναβολή)( ηλεκτρικό φορτίο)

Ενεργοποίηση χρόνος καθυστέρησης, επαγωγική φορτίο

 

td( σε)

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

 

65

75

 

75

 

σ

σ

σ

 

Εύξηση χρόνου( ηλεκτρικό φορτίο)

Ώρα να σηκωθούμε. επαγωγική φορτίο

 

tr

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

 

45

55

 

55

 

σ

σ

σ

 

关断延迟时间 (Καταλείψτε την καθυστέρηση)( ηλεκτρικό φορτίο)

Διάλειψηη ώρα της εκτόξευσης, επαγωγική φορτίο

 

td(Κλείσε)

 

Εγώ...Γ=200A, VCE=600V

VΓενικά=±15V

RΓκόν=3,3 Ω

RΓκοφ.=3,3 Ω

 

Ενσωματωτικό Λοδιαφημιστικό

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

 

205

230

 

235

 

σ

σ

σ

 

Κατώτερος χρόνος( ηλεκτρικό φορτίο)

Το φθινόπωρο. επαγωγική φορτίο

 

 

tf

 

55

85

 

85

 

σ

σ

σ

 

开通 损耗能量(Κάθε παλμός)

Ενεργοποίηση ενέργεια απώλεια κατά που- Ναι.

 

Εσε

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

 

16.7

26.4

28.2

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (Κατακόμιση της ενέργειας)(Κάθε παλμός)

Ενέργεια απενεργοποίησης απώλεια κατά σφυγμό

 

 

ΕΚλείσε

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

 

4.9

8.8

9.6

 

mJ

mJ

mJ

 

σύντομος δρόμος

SC δεδομένα

 

Εγώ...SC

 

VΓενικά≤ 15V, VCC=800V

VCEmax= VCES-Τι;sCE·di/dt, tp=10μs, Tvj= 150°C

 

 

800

 

Α

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

 

RτοJC

 

Κατά IGBT / Ο καθένας. IGBT

 

0.14

 

Κ/Δ

 

 

εργασιακή θερμοκρασία

Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις

 

Τvjop

 

-40

 

150

 

 

°C

 

 

Διοδή, μετατροπέας/ Δυστυχώς, δεν υπάρχει.

Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/ μέγιστη μέγιστη τιμή

 

Άρθρο

 

Σύμβολο Cσυνθήκες

 

Αξία

 

 

Μονάδες

 

Αντίστροφη επανάληψη κορυφαίας τάσης

Πύργος επαναλαμβανόμενο αντίστροφη τάσηε

 

VΕπενδύσεις Τvj= 25°C

 

1200

 

 

 

V

 

συνεχής κατευθυνόμενη άμεση ροή ηλεκτρική ροή

Συνεχή DC γιαρεύμα του τμήματος

 

Εγώ...F

 

200

 

 

Α

 

Ηλεκτρικό ρεύμα κορυφής

Πύργος επαναλαμβανόμενο ρεύμα προς τα εμπρός

 

 

Εγώ...Επενδύσεις tp=1 ms

 

400

 

 

Α

 

 

 

Χαρακτηριστικές αξίες/ 特征值

 

Άρθρο

 

ΣύμβολοΠροϋποθέσεις

 

- Μίνι. Τύπος.

 

Μαξ. Μαξ.

 

Μονάδες

 

Δίπλωμα ηλεκτρικής τάσης

Προχωρημένη τάση

 

VF Εγώ...F=200A

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°CΤvj= 150°C

 

1.50

 

1.80

1.80

1.80

 

2.40

 

V

V

V

 

Αντίστροφη ανάκτηση κορυφαίας ηλεκτρικής ροής

 

Πύργος Αντίστροφη ανάκτηση γχρέος

 

Εγώ...RM

 

 

Qr

 

 

 

ΕRec

 

 

Εγώ...F=200A

-di/dt=3200A/μs VR = 600V

 

VΓενικά=-15V

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°CΤvj= 150°CΤvj= 25°C Τvj= 125°CΤvj= 150°CΤvj= 25°C Τvj= 125°CΤvj= 150°C

 

140

140

 

140

 

 

Α

Α

Α

 

Αντίστροφος επαναληπτικός ηλεκτρισμός

Τέλος είσπραξης

 

14.5

22.528.0

 

 

μC

μC

μC

 

Αντίστροφη απώλεια αποκατάστασης

Πίσω ανάκτηση ενέργεια (ανά σφυγμό)

 

4.5

8.7 9.9

 

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

 

RτοJC Για κάθε διόδη Κάθε个二极管

 

 

 

0.23

 

Κ/Δ

 

εργασιακή θερμοκρασία

Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις

 

 

Τvjop

 

-40

 

150

 

°C

 

 

 

 

Μονάδα/ 模块

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδες

 

绝缘 δοκιμαστική τάση

Απομόνωσητάση δοκιμής

 

VΙΣΟΛ

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Υλικό Μονάδα Πλακέτα βάσης

   

 

 

Κου

 

 

Εσωτερική απομόνωση

Εσωτερικό απομόνωση

 

 

基本绝缘(κατηγορία 1, Εγώ...ΕΟΚ 61140)

Βασικό μόνωση (κατηγορία 1, ΔΕΠ 61140)

 

Αλ2Ο3

 

 

爬电距离

Κρίπτιγκ disΤανς

 

 

端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

 

29.0

23.0

 

 

χμ

 

ηλεκτρικός χώρος

Αδειοδότηση

 

 

端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

 

23.0

11.0

 

χμ

 

Σχετικό δείκτη ηλεκτρικών σημάτων

ΣυγκριτικόΗ παρακολούθηση δείκτη

 

 

ΚΤΠ

 

 

 

> 400

 

 

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

- Μίνι.

 

Τύπος.

 

Μαξ. Μαξ.

 

Μονάδες

 

杂散电感,模块 Ηλεκτρική αίσθηση διαχωρισμού

Αγνοούμενος επαγωγικότητα Μονάδα

 

ΑsCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子-Τσιπ

 

Μονάδα Σημείωση: Αντίσταση ,Τερματικά-Γισχίο

 

RCC ̇+EE

RΑΑ+CC ̇

   

 

0.7

 

 

 

θερμοκρασία αποθήκευσης

 

Αποθήκευσηδιαμέρισμα

 

Τστγ

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

Μοντέλο εγκατάστασης της εγκατάστασης στροφή απόσταση

Δρόμος τοποθέτησηςπου για Μονάδα τοποθέτηση

 

 

Μ

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Νμ

 

端子联接 στροφή απόσταση

Σύνδεση τερματικού σταθμούn ροπή

 

Μ

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Νμ

 

Βάρος

 

Βάρος

 

G

   

 

320

 

 

g

 

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 1 

IGBT IGBT

Χαρακτηριστικό εξόδου IGBT, Inverter (τυπικό) Χαρακτηριστικό εξόδου IGBT, Inverter (τυπικό)

Εγώ...Γ=f (VCE) ΙΓ=f(VCE)

VΓενικά=15V              Tvj=150°C

 

 

 

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 2

 

IGBT IGBT

Χαρακτηριστικό μεταφοράς IGBT, Inverter (τυπικό) Χαρακτηριστικό μεταφοράς IGBT, Inverter (τυπικό)

IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)

Επικαιροποιημένη μέθοδος για την αξιολόγηση της συμμόρφωσης

 

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 3

IGBT IGBT

Απώλειες διακόπτη IGBT, Inverter (τυπική) Διαλείπουσα θερμική αντίσταση IGBT, Inverter

Ε=f (RG) ZthJC=f (t)

Διάταξη 1

 

  200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 4

 

IGBT

Ασφαλής λειτουργική περιοχή IGBT, Inverter (RBSOA) Προχωρητικό χαρακτηριστικό της διόδου, Inverter (τυπικό)

IC=f (VCE) IF=f (VF)

Το VGE=±15V, το RGoff=3,3 Ω, το Tvj=150°C

 

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 5

 

 

Απώλειες διακόπτη Δίοδος, μετατροπέας (τυπική) Απώλειες διακόπτη Δίοδος, μετατροπέας (τυπική)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

Διάταξη 1

 

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 6

Επενδύσεις

ΔΕΔ με παροδική θερμική αντίσταση, μετατροπέας

Δοκιμαστική μονάδα

 

 

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 7

 

Το "1200V 200A IGBT Half Bridge Module" ενσωματώνει δύο IGBT σε διαμόρφωση μισής γέφυρας για εφαρμογές που απαιτούν έλεγχο των επιπέδων μέτριας έως υψηλής τάσης και ρεύματος.Η αποτελεσματική ψύξη είναι ζωτικής σημασίας, και λεπτομερείς προδιαγραφές στο δελτίο δεδομένων του κατασκευαστή.

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 8

Κύκλος διάγραμμα τίτλος 

 

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 9

 

 

Πακέτο περιγράμματα

 

200A 1200V IGBT Μοντέλο μισής γέφυρας 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 10

 

 

 

Παρόμοια προϊόντα
Βρείτε την καλύτερη τιμή