OEM IGBT μονάδα ισχύος 1200V 300A Μονάδα μισής γέφυρας DS-SPS300B12G6M4-S04020025
Στερεά ενέργεια-DS-SPS300B12G6M4-S04020025
1200V 300A IGBT Το μισό. Γέφυρα Μονάδα
Π 1200V τεχνολογία Trench+ Field Stop
□ Δίοδοι ελεύθερης τροχιάς με γρήγορη και απαλή ανάκτηση
□ VCE(sat)με θετικό συντελεστή θερμοκρασίας
□ Μικρές απώλειες μετάλλαξης
□ Ενσωματωτική θέρμανση
□ Ζυθοποιία
□ Εφαρμογή μετατροπής υψηλής συχνότητας
Πακέτο
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
|
Η τάση δοκιμής απομόνωσης
|
ΒΙΣΟΛ |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0
|
kV
|
|
Υλικό της πλάκας βάσης του μοντέλου
|
|
|
Κου
|
|
|
Εσωτερική απομόνωση
|
|
(κλάση 1, IEC 61140)
Βασική μόνωση (κλάση 1, IEC 61140)
|
Αλ2Ο3
|
|
|
Απόσταση έλξης
|
Κρίπ |
Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα |
29.0 |
χμ
|
| Κρίπ |
από τερματικό σε τερματικό |
23.0 |
|
Αδειοδότηση
|
dΚαθαρή |
Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα |
23.0 |
χμ
|
| dΚαθαρή |
από τερματικό σε τερματικό |
11.0 |
|
Συγκριτικός δείκτης παρακολούθησης
|
ΚΤΠ |
|
> 400
|
|
| |
|
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
| - Μίνι. |
Τύπος. |
Μαξ. Μαξ. |
|
Μονάδα παραστρατημένης επαγωγικότητας
|
ΕΛΣΕ |
|
|
20
|
|
nH
|
|
Αντίσταση μολύβδου μονάδας, τερματικά - τσιπ
|
RCC+EE |
|
ΤΓ= 25°C |
|
0.70
|
|
mΩ
|
|
Θέρμανση αποθήκευσης
|
Tstg |
|
-40
|
|
125
|
°C |
|
Δρόμος τοποθέτησης για την τοποθέτηση της μονάδας
|
M6 |
|
3.0
|
|
6.0
|
Νμ
|
|
Δρόμος σύνδεσης τερματικού σημείου
|
M6 |
|
2.5
|
|
5.0
|
Νμ
|
|
Βάρος
|
G |
|
|
320
|
|
g
|
IGBT
Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
|
Δυνατότητα συλλέκτη-εκδότη
|
ΕΣΕΣ |
|
Τvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Μέγιστη τάση εκπομπής πύλης
|
ΒΓΕΣ |
|
±20
|
V
|
|
Τροποποιημένη τάση πύλης-εκδότη
|
ΒΓΕΣ |
tp≤ 10μs, D=0.01 |
±30
|
V
|
|
Συνεχή ρεύμα συνεχούς ρεύματος συλλέκτη
|
Εγώ...Γ |
|
ΤΓ= 25°C |
400 |
Α
|
| ΤΓ= 100°C |
300 |
|
Πυκνωμένο ρεύμα συλλέκτη,tp περιορισμένο από Tjmax
|
ICpulse |
|
600
|
Α
|
|
Απορρόφηση ισχύος
|
Πtot |
|
1500
|
W
|
Χαρακτηριστικό Αξίες
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
| - Μίνι. |
Τύπος. |
Μαξ. Μαξ. |
|
Η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκδότη
|
VCE(sat) |
Εγώ...Γ= 300A, VΓενικά=15V |
Τvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Τvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Τvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Δυναμική τάση κατώτατης τάσης
|
ΕΠΕ (η) |
VCE= VΓενικάΕγώ...Γ=12mA |
5.0
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
Δράση διακοπής συλλέκτη-εκδότη
|
ICES |
VCE=1200V, VΓενικά=0V |
Τvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Τvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
ρεύμα διαρροής από τον εκδότη πύλης
|
ΙΓΕΣ |
VCE=0V,VΓενικά=±20V, Tvj= 25°C |
-200 δολάρια |
|
200 |
nΑ |
|
Χρέωση πύλης
|
QG |
VCE=600V, IΓ= 300A, VΓενικά=±15V |
|
3.2 |
|
μC |
|
Εισαγωγική χωρητικότητα
|
Σημεία |
VCE= 25V, VΓενικά=0V, f =100kHz |
|
60.0 |
|
nF
|
|
Δυνατότητα παραγωγής
|
Κουέ |
|
1.89 |
|
|
Αντίστροφη μεταφοράς χωρητικότητας
|
Κρέας |
|
0.54 |
|
|
Εσωτερική αντίσταση πύλης
|
RGint |
Τvj= 25°C |
|
1.2 |
|
Ω |
|
Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο
|
Επικαιροποιημένο |
VCC= 600V,IΓ= 300A RG=1,8Ω, VΓενικά=±15V |
Τvj= 25°C |
|
130 |
|
σ |
| Τvj= 125°C |
|
145 |
|
σ |
| Τvj= 150°C |
|
145 |
|
σ |
|
Χρόνος άνοδος, επαγωγικό φορτίο
|
tr |
Τvj= 25°C |
|
60 |
|
σ |
| Τvj= 125°C |
|
68 |
|
σ |
| Τvj= 150°C |
|
68 |
|
σ |
|
Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο
|
ΔΕΔ (εκκλεισμός) |
VCC= 600V,IΓ= 300A RG=1,8Ω, VΓενικά=±15V |
Τvj= 25°C |
|
504 |
|
σ |
| Τvj= 125°C |
|
544 |
|
σ |
| Τvj= 150°C |
|
544 |
|
σ |
|
Ώρα πτώσης, επαγωγικό φορτίο
|
tf |
Τvj= 25°C |
|
244 |
|
σ |
| Τvj= 125°C |
|
365 |
|
σ |
| Τvj= 150°C |
|
370 |
|
σ |
|
Απώλεια ενέργειας ανά παλμό
|
Εων |
VCC= 600V,IΓ= 300A RG=1,8Ω, VΓενικά=±15V |
Τvj= 25°C |
|
7.4 |
|
mJ |
| Τvj= 125°C |
|
11.1 |
|
mJ |
| Τvj= 150°C |
|
11.6 |
|
mJ |
|
Απενεργοποιήστε την απώλεια ενέργειας ανά παλμό
|
Εφ |
Τvj= 25°C |
|
32.0 |
|
mJ |
| Τvj= 125°C |
|
39.5 |
|
mJ |
| Τvj= 150°C |
|
41.2 |
|
mJ |
|
Δεδομένα SC
|
ΕΣΚ |
VΓενικά≤ 15V, VCC=600V |
tp≤10μs Tvj= 150°C |
|
|
1350
|
Α
|
|
Θερμική αντίσταση IGBT, θήκη σύνδεσης
|
RthJC |
|
|
|
0.1 |
Κ / Δ |
|
Θερμοκρασία λειτουργίας
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Διοδή
Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
|
Επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση
|
VRRM |
|
Τvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Συνεχή συνεχής τάση προς τα εμπρός
|
Εγώ...F |
|
300
|
Α
|
|
Διοδικό παλμικό ρεύμα,tp περιορισμένο από TJmax
|
IFpulse |
|
600 |
Χαρακτηριστικό Αξίες
| Άρθρο |
Σύμβολο |
Προϋποθέσεις |
Αξίες |
Μονάδα |
| - Μίνι. |
Τύπος. |
Μαξ. Μαξ. |
|
Προχωρημένη τάση
|
VF |
Εγώ...F= 300A, VΓενικά=0V |
Τvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Τvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Τvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης
|
trr |
Εγώ...F= 300A
ΔΙF/dt=-4900A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600V,
VΓενικά=-15V
|
Τvj= 25°C |
|
90 |
|
σ
|
| Τvj= 125°C |
120 |
| Τvj= 150°C |
126 |
|
Πιο υψηλό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης
|
ΔΕΔΜ |
Τvj= 25°C |
|
212 |
|
Α
|
| Τvj= 125°C |
245 |
| Τvj= 150°C |
250 |
|
Επιστροφή των τελών ανάκτησης
|
Επικαιροποίηση |
Τvj= 25°C |
|
19 |
|
μC
|
| Τvj= 125°C |
27 |
| Τvj= 150°C |
35 |
|
Απώλεια ενέργειας αντιστροφής ανά παλμό
|
Ερέκ |
Τvj= 25°C |
|
7.7 |
|
mJ
|
| Τvj= 125°C |
13.3 |
| Τvj= 150°C |
14.0 |
|
Θερμική αντίσταση διόδου, θήκη σύνδεσης
|
RthJCD |
|
|
|
0.23
|
Κ / Δ
|
|
Θερμοκρασία λειτουργίας
|
TJop |
|
-40
|
|
150
|
°C |
Αποδόσεις χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Απόδοση χαρακτηριστικό (συνηθισμένο)
Εγώ...Γ= f (VCE) ΙΓ= f (VCE)
Τvj= 150°C
IGBT
Μεταφορά χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Μετατροπή απώλειες IGBT(τυπικό)
Εγώ...Γ= f (VΓενικά) Ε = f (RG)
VCE= 20V VΓενικά= ±15V, IΓ= 300A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Ανταλλαγή απώλειες IGBT(τυπικό) Πίσω Προορισμός Ασφαλές λειτουργία Περιοχή (RBSOA)
E = f (IΓ) ΙΓ=f (VCE)
VΓενικά= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600V VΓενικά= ±15V, RΓκοφ.= 1,8Ω, Tvj= 150°C
Τυπικό χωρητικότητα ως Α λειτουργία του συλλέκτης-εκδότης τάση Η φόρτιση της πύλης (τυπική)
C = f (V)CE) VΓενικά= f (QG)
f = 100 kHz, VΓενικά= 0V IΓ= 300A, VCE= 600V
IGBT
IGBT μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του παλμού πλάτος Προς τα εμπρός χαρακτηριστικό του Διοδή (τυπικό)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
Απώλειες διακόπτη Δίοδος (συνηθισμένη) Διακόπτηςαπώλειες Δίοδος (συνηθισμένο)
ΕRec= f (RG) ΕRec= f (IF)
Εγώ...F= 300A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Διοδή μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του σφυγμό πλάτος
Zth(j-c) = f (t)
Μια μονάδα IGBT με μισή γέφυρα είναι μια ηλεκτρονική συσκευή ισχύος που συνδυάζει δύο διπολικούς τρανζίστορες με μονωμένη πύλη (IGBT) που είναι διατεταγμένοι σε διαμόρφωση με μισή γέφυρα.Αυτή η διαμόρφωση χρησιμοποιείται συνήθως σε διάφορες εφαρμογές όπου απαιτείται αμφίδρομος έλεγχος ισχύοςΕδώ είναι μερικά βασικά σημεία σχετικά με τις ενότητες IGBT:
1. IGBTs: Οι IGBTs είναι ημιαγωγικές συσκευές που συνδυάζουν τα χαρακτηριστικά τόσο των μονωμένων τρανζίστορ με επίδραση πεδίου (IGFETs) όσο και των διπολικών τρανζίστορ (BJT).Χρησιμοποιούνται ευρέως στην ηλεκτρονική ισχύς για τη μετάβαση και τον έλεγχο της ηλεκτρικής ενέργειας.
2. Διαμόρφωση μισής γέφυρας: Η διαμόρφωση μισής γέφυρας αποτελείται από δύο IGBT που συνδέονται σε σειρά, σχηματίζοντας ένα κύκλωμα γέφυρας.Ένα IGBT είναι υπεύθυνο για την αγωγή κατά τη διάρκεια του θετικού ημικύκλου της μορφής κύματος εισόδουΑυτή η διάταξη επιτρέπει αμφίδρομο έλεγχο του ρεύματος.
3. Διάταξη τάσης και ρεύματος: Οι ενότητες IGBT με μισή γέφυρα καθορίζονται με τάση και ρεύμα. Για παράδειγμα, μια κοινή διάταξη μπορεί να είναι 1200V/300A,που υποδεικνύει τη μέγιστη τάση και ρεύμα που μπορεί να διαχειριστεί η μονάδα.
4. Εφαρμογές: Οι ενότητες IGBT με μισή γέφυρα βρίσκουν εφαρμογές σε κινητήρες, μετατροπείς, πηγές ρεύματος και άλλα συστήματα που απαιτούν ελεγχόμενη εναλλαγή ισχύος.Είναι κατάλληλες για εφαρμογές όπου απαιτείται μεταβλητή ρύθμιση ταχύτητας ή αντιστροφή ισχύος.
5. Ψύξη και θερμική διαχείριση: Όπως και με τα μεμονωμένα IGBT, οι ενότητες IGBT μισής γέφυρας παράγουν θερμότητα κατά τη διάρκεια της λειτουργίας.είναι ζωτικής σημασίας για τη διατήρηση της ορθής απόδοσης και της αξιοπιστίας της συσκευής.
6. Κύκλωμα κίνησης πύλης: Η κατάλληλη κυκλωματική κίνηση πύλης είναι απαραίτητη για τον αποτελεσματικό έλεγχο της εναλλαγής των IGBT.Αυτό περιλαμβάνει τη διασφάλιση ότι τα σήματα πύλης είναι κατάλληλα χρονολογημένα και έχουν επαρκή επίπεδα τάσης.
7. φύλλο δεδομένων: Οι χρήστες πρέπει να ανατρέξουν στο δελτίο δεδομένων του κατασκευαστή για λεπτομερείς προδιαγραφές, ηλεκτρικά χαρακτηριστικά,και κατευθυντήριες γραμμές εφαρμογής ειδικές για τη μονάδα IGBT μισής γέφυρας που χρησιμοποιούν.
IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.
Κύκλος διάγραμμα τίτλος
Πακέτο περιγράμματα
Μέγεθος σε χιλιοστά
χμ
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
