Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
προϊόντα
προϊόντα
Σπίτι > προϊόντα > Μονούλες IGBT 34mm > 75A 1200V IGBT Μονάδα μισής γέφυρας Στερεής ισχύος-DS-SPS150B17G3-S04010005

75A 1200V IGBT Μονάδα μισής γέφυρας Στερεής ισχύος-DS-SPS150B17G3-S04010005

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αριθμό μοντέλου: SPS150B17G3

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

Μονάδα μισής γέφυρας IGBT

,

Μονάδα μισής γέφυρας IGBT 1200V

,

75A Μονάδα μισής γέφυρας

Ρεύμα συλλεκτών:
200A
Τάση συλλέκτης-εκπομπών:
±1200V
Τρέχων:
200A
Δαπάνη πυλών:
100nC
Τάση πύλη-εκπομπών:
±20V
Μέγεθος μονάδας:
34 χιλιοστά
Τύπος ενότητας:
IGBT
Στυλ εγκατάστασης:
Γύρισμα
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας:
-40°C σε +150°C
Τύπος συσκευασίας:
Μονάδα
Καταπολέμηση της εξουσίας:
500W
συχνότητα εναλλαγής:
20KHZ
Θερμική αντοχή:
0.1°C/W
Τετάρτη:
1200V
Ρεύμα συλλεκτών:
200A
Τάση συλλέκτης-εκπομπών:
±1200V
Τρέχων:
200A
Δαπάνη πυλών:
100nC
Τάση πύλη-εκπομπών:
±20V
Μέγεθος μονάδας:
34 χιλιοστά
Τύπος ενότητας:
IGBT
Στυλ εγκατάστασης:
Γύρισμα
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας:
-40°C σε +150°C
Τύπος συσκευασίας:
Μονάδα
Καταπολέμηση της εξουσίας:
500W
συχνότητα εναλλαγής:
20KHZ
Θερμική αντοχή:
0.1°C/W
Τετάρτη:
1200V
75A 1200V IGBT Μονάδα μισής γέφυρας Στερεής ισχύος-DS-SPS150B17G3-S04010005

Στερεά ισχύς-DS-SPS150B17G3-S04010005

 

1200V 75Α IGBT Το μισό. Γέφυρα Μονάδα

 

75A 1200V IGBT Μονάδα μισής γέφυρας Στερεής ισχύος-DS-SPS150B17G3-S04010005 0

 

75A 1200V IGBT Μονάδα μισής γέφυρας Στερεής ισχύος-DS-SPS150B17G3-S04010005 1

 

Χαρακτηριστικά:
 Δομή διακοπής φράχτη 1700V
 Υψηλή ικανότητα βραχυκυκλώματος
 Μικρή απώλεια μετάβασης
 Υψηλή αξιοπιστία
 Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας

 

Τυπικές εφαρμογές:
 Μηχανοκίνητα οχήματα
 Ενεργειακές ορμές
 Αντιστροφέας και τροφοδοσίες
 Φωτοβολταϊκή ενέργεια

 

IGBT, Μετατροπέας

Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδες

 

集电极- εκπομπή 极电压

Η τάση συλλέκτη-εκδότη

 

ΕΣΕΣ

 

Tvj=25°C

 

1700

 

V

 

συνεχής ρεύμα ρεύμα ρεύμα

Συνεχή Δ.Σ. ρεύμα συλλέκτη

 

IC

 

 

150

 

 

Α

 

集电极重复峰值电流 (Σύνοδος ηλεκτρικού ρεύματος)

Πύργος ΕπαναλαμβάνωΕπικεφαλής ρεύμα συλλέκτη

 

ICRM

 

tp=1 ms

 

300

 

Α

 

συνολική απώλεια ισχύος

Συνολικά Δύναμη διάσπαση

 

Πtot

 

TC= 25°C, Tvj=175°C

 

880

 

W

 

Δύναμη εκτόξευσης

Μέγιστη τάση εκπομπής πύλης

 

ΒΓΕΣ

 

 

±20

 

V

 

Η μέγιστη θερμοκρασία.

Μέγιστη θερμοκρασία διασταύρωσης

 

Τvj, μέγιστο.

 

 

175

 

°C

 

 

Χαρακτηριστικές αξίες/ 特征值

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Μίν. Τύπος. Μέγιστος.

 

Μονάδες

 

集电极- εκπομπή 极?? και ηλεκτρική τάση

Η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκδότη

 

ΕΠΕ(έμεινε)

 

IC= 150A,VGE=15V

 

TVj= 25°C Τvj= 125°C Τvj=150°C

 

1.67

1.90 1.96

 

1.90

 

V

V

V

 

Δύναμη ρεύματος

Δυναμική τάση κατώτατης τάσης

 

ΕΠΕ (η)

 

IC= 17mA, VCE=VΓενικά, Τvj=25°C

 

5.0 6.0 6.8

 

V

 

∆ιεθνής

Πύλη χρέωση

 

Κεντρικό Τμήμα

 

ΔΕΔ = 15V...+15V

 

 

0.86

 

 

uC

 

εσωτερική ρητή ηλεκτρική αντίσταση

Εσωτερική πύλη αντίσταση

 

 

RGint

 

 

Tvj=25°C

 

 

7.2

 

Ω

 

εισερχόμενη χωρητικότητα

Δυνατότητα εισόδου

 

Σημεία

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

 

12.6

 

nF

 

Αντίστροφη ισχύ μεταφοράς

Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς

 

Κρέας

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.20

 

 

nF

 

集电极- Εκτόξευση 截止电流

Συλλέκτης-εκδότης ρεύμα διακοπής

 

ICES

 

ΕΠΕ=1700V, VΓενικά=0V, Tvj= 25°C

 

 

3.00

 

mA

 

ἀνέκαμψη- Ρίχτης ρύπανσης

Εκδότης πύλης διαρροή ρεύμα

 

ΙΓΕΣ

 

ΕΠΕ=0V, VΓενικά=20V, Tvj=25°C

 

400

 

 

开通延迟时间 (Ανοίξτε την αναβολή)( ηλεκτρικό φορτίο)

Ενεργοποίηση χρόνος καθυστέρησης, επαγωγική φορτίο

 

ε ε(σε)

 

TVj= 25°C Τvj= 125°C Τvj=150°C

 

326

339

 

345

 

σ

σ

σ

 

Εύξηση χρόνου( ηλεκτρικό φορτίο)

Ώρα να σηκωθούμε. επαγωγική φορτίο

 

 

Τρ

 

TVj= 25°C Τvj= 125°C Τvj=150°C

 

106

118

 

126

 

σ

σ

σ

 

关断延迟时间 (Καταλείψτε την καθυστέρηση)( ηλεκτρικό φορτίο)

Χρόνος καθυστέρησης σβήσης, επαγωγική φορτίο

 

 

ε ε(Κλείσε)

 

IC= 150A, VCE=900V

Δυνατότητα εκπομπής

RGon=5Ω

RGoff=5Ω

 

Ενσωματωτικό φορτίο,

 

TVj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C Τvj= 25°C Τvj=125°C

 

Tvj=150°C

 

165

189

 

213

 

σ

σ

σ

 

Κατώτερος χρόνος( ηλεκτρικό φορτίο)

Το φθινόπωρο. επαγωγική φορτίο

 

 

Τφ

 

757

924

 

950

 

σ

σ

σ

 

开通 损耗能量(Κάθε παλμός)

Ενεργοποίηση ενέργεια απώλεια κατά σφυγμό

 

Εων

 

TVj= 25°C Τvj= 125°C Τvj=150°C

 

47.1

58.9

63.7

 

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (Κατακόμιση της ενέργειας)(Κάθε παλμός)

Ενέργεια απενεργοποίησης απώλεια κατά σφυγμό

 

Εφ

 

TVj= 25°C Τvj= 125°C Τvj=150°C

 

31.2

39.9

42.5

 

 

mJ

mJ

 

σύντομος δρόμος

SC δεδομένα

 

 

ΕΣΚ

 

VGE≤ 15V, VCC=1000V

VCEmax= VCES-Τι;sCE·di/dt, tp=10μs, Tvj=150°C

 

600

 

Α

 

 

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση, jχρέωση περίπτωση

 

RτοJC

 

Κατά IGBT / Ο καθένας.IGBT

 

0.17

 

Κ/Δ

 

εργασιακή θερμοκρασία

Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις

 

 

Τvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Διοδή, μετατροπέας/ 二极管, αναστροφικός μετασχηματιστής

Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/ μέγιστη μέγιστη τιμή

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδες

 

Αντίστροφη επανάληψη κορυφαίας τάσης

Πύργος επαναλαμβανόμενο αντίστροφη τάσηε

 

VΕπενδύσεις

 

Τvj= 25°C

 

1700

 

V

 

συνεχής κατευθυνόμενη άμεση ροή ηλεκτρική ροή

Συνεχή DC γιαρεύμα του τμήματος

 

Εγώ...F

 

 

150

 

Α

 

Ηλεκτρικό ρεύμα κορυφής

Πύργος επαναλαμβανόμενο ρεύμα προς τα εμπρός

 

Εγώ...Επενδύσεις

 

tp=1 ms

 

300

 

Α

 

 

Χαρακτηριστικές αξίες/ 特征值

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

- Μίνι. Τύπος. Μαξ. Μαξ.

 

Μονάδες

 

Δίπλωμα ηλεκτρικής τάσης

Προχωρημένη τάση

 

VF

 

 

Εγώ...F=150A

 

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

 

1.92

2.112.09

 

2.30

 

V

V

V

 

Αντίστροφη ανάκτηση κορυφαίας ηλεκτρικής ροής

 

Πύργος Αντίστροφη ανάκτηση γχρέος

 

 

Εγώ...RM

 

 

 

Εγώ...F=150A

-Ναι.F/dtΚλείσε=2000A/μs

VR = 900 V

 

VΓενικά=-15V

 

Τvj= 25°C98

Τvj= 125°C 119

 

Τvj= 150°C 119

 

Α

Α

Α

 

恢复电荷 επαναφορά ηλεκτρισμού

Τέλος είσπραξης

 

 

Qr

 

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

 

21.4

36.7

42.0

 

uC

uC

uC

 

Αντίστροφη απώλεια αποκατάστασης

Πίσω ανάκτηση ενέργεια (ανά pβήχα)

 

ΕRec

 

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

 

10.6

19.5

21.9

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση, jχρέωση περίπτωση

 

RτοJC

 

ανά διόδη/ Κάθε διωχτήρα

 

0.30

 

Κ/Δ

 

εργασιακή θερμοκρασία

Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις

 

Τvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

 

Μονάδα/ 模块

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδες

 

绝缘 δοκιμαστική τάση

Απομόνωσητάση δοκιμής

 

VΙΣΟΛ

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Υλικό Μονάδα Πλακέτα βάσης

   

 

 

Κου

 

 

Εσωτερική απομόνωση

Εσωτερικό απομόνωση

 

 

基本绝缘(κατηγορία 1, Εγώ...ΕΟΚ 61140)

Βασικό μόνωση (κατηγορία 1, ΔΕΠ 61140)

 

Αλ2Ο3

 

 

爬电距离

Κρι Απόσταση σελίδας

 

 

端子-散热片/ τερματικό προς hΦάε νεροχύτη

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

 

17.0

20.0

 

 

χμ

 

ηλεκτρικός χώρος

Αδειοδότηση

 

 

端子-散热片/ τερματικό προς hΦάε νεροχύτη

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

 

17.0

9.5

 

 

χμ

 

Σχετικό δείκτη ηλεκτρικών σημάτων

Συγκριτική παρακολούθηση δείκτη

 

 

ΚΤΠ

 

 

 

> 200

 

 

 

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

- Μίνι.

 

Τύπος.

 

Μαξ. Μαξ.

 

Μονάδες

 

杂散电感,模块 Ηλεκτρική αίσθηση διαχωρισμού

Αγνοούμενος επαγωγικότητα Μονάδα

 

ΑsCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻,端子 (Μοντέλο κινητήρα ηλεκτρικής αντίστασης)-Τσιπ

 

Μονάδα Σημείωση: Αντίσταση ,Τερματικά-Γισχίο

 

RCC ̇+EE

RΑΑ+CC

   

 

0.65

 

 

 

θερμοκρασία αποθήκευσης

 

Αποθήκευσηδιαμέρισμα

 

Τστγ

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

Μοντέλο εγκατάστασης της εγκατάστασης στροφή απόσταση

Δρόμος στερέωσηςΕΕ για Μονάδα τοποθέτηση

 

 

Μ

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Νμ

 

Μοντέλο εγκατάστασης της εγκατάστασης στροφή απόσταση

Δρόμος στερέωσηςΕΕ για Μονάδα τοποθέτηση

 

Μ

 

Επενδύσεις

 

2.50

 

 

5.00

 

Νμ

 

Βάρος

Βάρος

 

G

   

 

160

 

 

g

 

75A 1200V IGBT Μονάδα μισής γέφυρας Στερεής ισχύος-DS-SPS150B17G3-S04010005 2

75A 1200V IGBT Μονάδα μισής γέφυρας Στερεής ισχύος-DS-SPS150B17G3-S04010005 3

75A 1200V IGBT Μονάδα μισής γέφυρας Στερεής ισχύος-DS-SPS150B17G3-S04010005 4