OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Σκληρή ισχύς-DS-SPS100B12G3H6-S04010019

1200V 100A IGBT Το μισό. Γέφυρα Μονάδα

1200V 100A IGBT 

Χαρακτηριστικά:

Π 1200V τεχνολογία Trench+ Field Stop

□ Δίοδοι ελεύθερης τροχιάς με γρήγορη και απαλή ανάκτηση

□ V_CE(sat)με θετικό συντελεστή θερμοκρασίας

□ Μικρές απώλειες μετάλλαξης

ΤυπικόΕφαρμογές: 

□ Ζυθοποιία

Αποδόσεις χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Απόδοση χαρακτηριστικό (συνηθισμένο)

Εγώ..._Γ= f (V_CE) Ι_Γ= f (V_CE) Τ_vj= 150°C

                                                                                                                   IGBT

Μεταφορά χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Μετατροπή απώλειες IGBT(τυπικό)

Εγώ..._Γ= f (V_Γενικά) Ε = f (R_G)

V_CE= 20V V_Γενικά= ±15V, I_Γ= 30A, V_CE= 600V

IGBT RBSOA

 Ανταλλαγή απώλειες IGBT(τυπικό) Πίσω Προορισμός Ασφαλές λειτουργία Περιοχή (RBSOA)

E = f (I_Γ) Ι_Γ=f (V_CE)

V_Γενικά= ±15V, R_G= 10Ω, V_CE= 600V V_Γενικά= ±15V, R_Γκόφ= 10Ω, T_vj= 150°C

Τυπικό χωρητικότητα ως Α λειτουργία του συλλέκτης-εκδότης Πύλη τάσης χρέωση(τυπικό)

C = f (V)_CE) V_Γενικά= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_Γενικά= 0V I_Γ= 100A, V_CE= 600V

IGBT

IGBT μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του σφυγμό πλάτος Προς τα εμπρός χαρακτηριστικό του Διοδή (τυπικό)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

   Ανταλλαγή απώλειες Δίοδος (συνηθισμένη) Διακόπτης απώλειες Δίοδος (συνηθισμένη)

Ε_Rec= f (R_G) Ε_Rec= f (I_F)

Εγώ..._F= 30A, V_CE= 600V R_G= 10Ω, V_CE= 600V

Διοδή μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του σφυγμόπλάτος

Zth(j-c) = f (t)