προϊόντα

Σπίτι > προϊόντα > Μονούλες IGBT 34mm > 150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Κατηγορίες

Διακριτικό IGBT

(2)

Επαφές

Επαφές: Mr. Zhou

Τηλεφώνημα: 86-1360-528-8329

Επικοινωνήστε τώρα

Μας ταχυδρομήστε

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Name: 150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
Brand: 150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
SKU: SPS150B12G3M4
Rating: 4.8 (103 reviews)

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αριθμό μοντέλου: SPS150B12G3M4

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή του προϊόντος

Επισημαίνω: 
                                                Υψηλής ισχύος μονάδα IGBT 34mm, 150A IGBT μονάδα υψηλής ισχύος, 150A IGBT μονάδα 34mm
                              

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Σκληρή ισχύς-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

1200V 150A IGBT Το μισό. Γέφυρα Μονάδα

1200V 150A IGBT

Χαρακτηριστικά:

Π 1200V τεχνολογία Trench+ Field Stop

□ Δίοδοι ελεύθερης τροχιάς με γρήγορη και απαλή ανάκτηση

□ V_CE(sat)με θετικό συντελεστή θερμοκρασίας

□ Μικρές απώλειες μετάλλαξης

Τυπικό Εφαρμογές:

□ Κινητήρες/Σερβοκίνητα

□ Μετατροπές υψηλής ισχύος

□ UPS

□ Φωτοβολταϊκή ενέργεια

Πακέτο

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες			Μονάδα
Η τάση δοκιμής απομόνωσης	ΒΙΣΟΛ	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Υλικό της πλάκας βάσης του μοντέλου				Κου
Εσωτερική απομόνωση		(κλάση 1, IEC 61140) Βασική μόνωση (κλάση 1, IEC 61140)		Αλ₂Ο₃
Απόσταση έλξης	Κρίπ	Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα		17.0			χμ
	Κρίπ	από τερματικό σε τερματικό		20.0
Αδειοδότηση	dΚαθαρή	Τερματικό στα αποχετευτικά συστήματα		17.0			χμ
	dΚαθαρή	από τερματικό σε τερματικό		9.5
Συγκριτικός δείκτης παρακολούθησης	ΚΤΠ			> 200

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες			Μονάδα
				- Μίνι.	Τύπος.	Μαξ. Μαξ.
Μονάδα παραστρατημένης επαγωγικότητας	ΕΛΣΕ				20		nH
Αντίσταση μολύβδου μονάδας, τερματικά - τσιπ	RCC+EE		Τ_Γ= 25°C		0.65		mΩ
Θέρμανση αποθήκευσης	Tstg			-40		125	°C
Δρόμος τοποθέτησης για την τοποθέτηση της μονάδας	M6			3.0		5.0	Νμ
Δρόμος σύνδεσης τερματικού σημείου	Επενδύσεις			2.5		5.0	Νμ
Βάρος	G				160		g

IGBT

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες	Μονάδα
Δυνατότητα συλλέκτη-εκδότη	ΕΣΕΣ		Τ_vj= 25°C	1200	V
Μέγιστη τάση εκπομπής πύλης	ΒΓΕΣ			±20	V
Τροποποιημένη τάση πύλης-εκδότη	ΒΓΕΣ	t_p≤ 10μs, D=0.01		±30	V
Συνεχή ρεύμα συνεχούς ρεύματος συλλέκτη	Εγώ..._Γ		Τ_Γ= 25°C	200	Α
Συνεχή ρεύμα συνεχούς ρεύματος συλλέκτη	Εγώ..._Γ		Τ_Γ= 100°C	150	Α
Πυκνωμένο ρεύμα συλλέκτη,tp περιορισμένο από T_jmax	ICpulse			300	Α
Απορρόφηση ισχύος	Πtot			600	W

Χαρακτηριστικό Αξίες

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες			Μονάδα
Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		- Μίνι.	Τύπος.	Μαξ. Μαξ.	Μονάδα
Η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκδότη	VCE(sat)	Εγώ..._Γ= 150A, V_Γενικά=15V	Τ_vj= 25°C		1.50	1.80	V
			Τ_vj= 125°C		1.65
			Τ_vj= 150°C		1.70
Δυναμική τάση κατώτατης τάσης	ΕΠΕ (η)	V_CE= V_ΓενικάΕγώ..._Γ=6mA		5.0	5.8	6.5	V
Δράση διακοπής συλλέκτη-εκδότη	ICES	V_CE=1200V, V_Γενικά=0V	Τ_vj= 25°C			100	μA
Δράση διακοπής συλλέκτη-εκδότη	ICES	V_CE=1200V, V_Γενικά=0V	Τ_vj= 150°C			5	mA
ρεύμα διαρροής από τον εκδότη πύλης	ΙΓΕΣ	V_CE=0V,V_Γενικά=±20V, T_vj= 25°C		-200 δολάρια		200	nΑ
Χρέωση πύλης	Q_G	V_CE=600V, I_Γ= 150A, V_Γενικά=±15V			1.8		μC
Εισαγωγική χωρητικότητα	Σημεία	V_CE= 25V, V_Γενικά=0V, f =100kHz			30.0		nF
Δυνατότητα παραγωγής	Κουέ				0.95
Αντίστροφη μεταφοράς χωρητικότητας	Κρέας				0.27
Εσωτερική αντίσταση πύλης	RGint	Τ_vj= 25°C			2		Ω
Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο	Επικαιροποιημένο	V_CC= 600V,I_Γ=150A R_G=3,3Ω, V_Γενικά=±15V	Τ_vj= 25°C		128		σ
			Τ_vj= 125°C		140		σ
			Τ_vj= 150°C		140		σ
Χρόνος άνοδος, επαγωγικό φορτίο	t_r		Τ_vj= 25°C		48		σ
			Τ_vj= 125°C		52		σ
			Τ_vj= 150°C		52		σ
Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης, επαγωγικό φορτίο	ΔΕΔ (εκκλεισμός)	V_CC= 600V,I_Γ=150A R_G=3,3Ω, V_Γενικά=±15V	Τ_vj= 25°C		396		σ
			Τ_vj= 125°C		448		σ
			Τ_vj= 150°C		460		σ
Ώρα πτώσης, επαγωγικό φορτίο	t_f		Τ_vj= 25°C		284		σ
			Τ_vj= 125°C		396		σ
			Τ_vj= 150°C		424		σ
Απώλεια ενέργειας ανά παλμό	Εων	V_CC= 600V,I_Γ=150A R_G=3,3Ω, V_Γενικά=±15V	Τ_vj= 25°C		4.9		mJ
			Τ_vj= 125°C		7.6		mJ
			Τ_vj= 150°C		8.3		mJ
Απενεργοποιήστε την απώλεια ενέργειας ανά παλμό	Εφ		Τ_vj= 25°C		16.1		mJ
			Τ_vj= 125°C		21.7		mJ
			Τ_vj= 150°C		22.5		mJ
Δεδομένα SC	ΕΣΚ	V_Γενικά≤ 15V, V_CC=800V	tp≤10μs T_vj= 150°C			650	Α
Θερμική αντίσταση IGBT, θήκη σύνδεσης	RthJC					0.25	Κ / Δ
Θερμοκρασία λειτουργίας	TJop			-40		150	°C

Διοδή

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες	Μονάδα
Επαναλαμβανόμενη αντίστροφη τάση	VRRM		Τ_vj= 25°C	1200	V
Συνεχή συνεχής τάση προς τα εμπρός	Εγώ..._F			150	Α
Διοδικό παλμικό ρεύμα,tp περιορισμένο από T_Jmax	IFpulse			300	Α

Χαρακτηριστικό Αξίες

Άρθρο	Σύμβολο	Προϋποθέσεις		Αξίες			Μονάδα
				- Μίνι.	Τύπος.	Μαξ. Μαξ.
Προχωρημένη τάση	V_F	Εγώ..._F= 150A, V_Γενικά=0V	Τ_vj= 25°C		2.30	2.70	V
			Τ_vj= 125°C		2.50
			Τ_vj= 150°C		2.50
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης	trr	Εγώ..._F=150A ΔΙ_F/dt=-3300A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600V, V_Γενικά=-15V	Τ_vj= 25°C		94		σ
			Τ_vj= 125°C		117
			Τ_vj= 150°C		129
Πιο υψηλό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης	ΔΕΔΜ		Τ_vj= 25°C		151		Α
			Τ_vj= 125°C		166
			Τ_vj= 150°C		170
Επιστροφή των τελών ανάκτησης	Επικαιροποίηση		Τ_vj= 25°C		15.6		μC
			Τ_vj= 125°C		23.3
			Τ_vj= 150°C		24.9
Απώλεια ενέργειας αντιστροφής ανά παλμό	Ερέκ		Τ_vj= 25°C		6.7		mJ
			Τ_vj= 125°C		10.9
			Τ_vj= 150°C		11.9
Θερμική αντίσταση διόδου, θήκη σύνδεσης	RthJCD					0.46	Κ / Δ
Θερμοκρασία λειτουργίας	TJop			-40		150	°C

Αποδόσεις χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Απόδοση χαρακτηριστικό (συνηθισμένο)

Εγώ..._Γ= f (V_CE) Ι_Γ= f (V_CE) Τ_vj= 150°C

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 5

IGBT

Μεταφορά χαρακτηριστικό (συνηθισμένο) Μετατροπή απώλειες IGBT(τυπικό)

Εγώ..._Γ= f (V_Γενικά) Ε = f (R_G)

V_CE= 20V V_Γενικά= ±15V, I_Γ= 150A, V_CE= 600V

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 6

IGBT Επενδύσεις σε αεροσκάφη

Ανταλλαγή απώλειες IGBT(τυπικό) Πίσω Προορισμός Ασφαλές λειτουργία Περιοχή (RBSOA)

E = f (I_Γ) Ι_Γ=f (V_CE)

V_Γενικά= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 600V V_Γενικά= ±15V, R_Γκόφ= 5.1Ω, T_vj= 150°C

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 7

Τυπικό χωρητικότητα ως Α λειτουργία του συλλέκτης-εκδότης τάση Η φόρτιση της πύλης (τυπική)

C = f (V)_CE) V_Γενικά= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_Γενικά= 0V I_Γ= 150A, V_CE= 600V

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 8

Εμπρός IGBT χαρακτηριστικό του Διοδή (τυπικό)

IGBT μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του παλμού πλάτοςΕγώ..._F= f (V_F)

Zth(j-c) = f (t)

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 9

Απώλειες διακόπτη Δίοδος (συνηθισμένη) Διακόπτηςαπώλειες Δίοδος (συνηθισμένο)

Ε_Rec= f (R_G) Ε_Rec= f (I_F)

Εγώ..._F= 150A, V_CE= 600V R_G= 3,3Ω, V_CE= 600V

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 10

Διοδή μεταβατικό θερμική αντίσταση ως Α λειτουργία του σφυγμό πλάτος

Zth(j-c) = f (t)

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 11

Το "1200V 150A IGBT Half Bridge Module" ενσωματώνει δύο IGBT σε μια διαμόρφωση μισής γέφυρας.που προσφέρουν ακριβή έλεγχο της τάσης (1200V) και του ρεύματος (150A)Η αποτελεσματική ψύξη είναι απαραίτητη για την αξιόπιστη λειτουργία και λεπτομερείς προδιαγραφές μπορούν να βρεθούν στο δελτίο δεδομένων του κατασκευαστή.

Κύκλος διάγραμμα τίτλος

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 12

Πακέτο περιγράμματα

Μέγεθος σε χιλιοστά

χμ

Tags:

Μονούλες IGBT 34mm

Μονούλες IGBT 62mm

Μονούλες IGBT EconoDual3

Μονούλες IGBT EasyPIM

Μονούλες IGBT EconoPack

Μονούλες IGBT EconoPIM

Μοδούλες αυτοκινήτων

Υβριδικά διακριτά SiC

Mosfet ιδιαίτερο

Διακριτικό IGBT

150A Υψηλής ισχύος IGBT μονάδα 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Υψηλής ισχύος μονάδα IGBT 34mm

150A IGBT μονάδα υψηλής ισχύος

150A IGBT μονάδα 34mm

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες

Μέγιστο Αξιολογημένη Αξίες

Μονάδα ελικοπτέρου πέδησης,

Αυτοκίνητες ενότητες IGBT,

Μονάδα ελικοπτέρου IGBT

75A 1200V IGBT Μονάδα μισής γέφυρας Στερεής ισχύος-DS-SPS150B17G3-S04010005

Μονάδα ισχύος μισής γέφυρας IGBT 1200V 75A Στερεά ισχύς-DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

Δοκιμαστική μονάδα IGBT Mosfet Half Bridge 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Προσαρμοσμένες μονάδες IGBT 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0