Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
προϊόντα
προϊόντα
Σπίτι > προϊόντα > Μονούλες IGBT 34mm > 1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αριθμό μοντέλου: SPS75B17G3

Όροι πληρωμής και αποστολής

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

Μονάδα IGBT γέφυρας 75A H

,

1700V H γέφυρα IGBT μονάδα

,

Μονάδα IGBT 1700V

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Στερεά ισχύς-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

 

1700V 75A IGBT Το μισό. Γέφυρα Μονάδα

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

Χαρακτηριστικά:

  • Δομή διακοπής φράχτη 1700V και πεδίου
  • Υψηλή ικανότητα βραχυκυκλώματος
  • Χαμηλή απώλεια μετάβασης
  • Υψηλή αξιοπιστία
  • Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας

 

 

Τυπικό Εφαρμογές:

  • Μηχανοκίνητα συστήματα
  • Ενεργειακές μονάδες
  • Μετατροπέας και τροφοδοσίες ρεύματος
  • Φωτοηλεκτρική ενέργεια

 

Εναλλακτικές συσκευές για την παραγωγή ηλεκτρικών συλλεκτών

Μέγιστες ονομαστικές τιμές / 最大额定值

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδες

 

集电极- εκπομπή 极电压

Εκδοθείσα από συλλέκτηr τάση

 

VCES

 

Τvj= 25°C

 

1700

 

V

 

συνεχής ρεύμα ρεύμα ρεύμα

Συνεχή Δ.Σ. συλλέκτηρεύμα ρεύματος

 

Εγώ...Γ Ονομασία

 

 

75

 

 

Α

 

集电极重复峰值电流 (Σύνοδος ηλεκτρικού ρεύματος)

Πύργος ΕπαναλαμβάνωΕπικεφαλής ρεύμα συλλέκτη

 

Εγώ...CRM

 

tp=1 ms

 

150

 

Α

 

συνολική απώλεια ισχύος

Συνολικά Δύναμη διαλύεταιΕπικοινωνία

 

ΠΠληροφορίες

 

ΤΓ= 25°C,Τvjmax= 175°C

 

535

 

W

 

Δύναμη εκτόξευσης

Μέγιστο όριοτάση ηλεκτρονικού εκδότη

 

VΓΕΣ

 

 

±20

 

V

 

Η μέγιστη θερμοκρασία.

Μέγιστη διασταύρωσηn θερμοκρασία

 

Τvjmax

 

 

175

 

°C

 

ΧαρακτήραςΔοκιμαστική/ 特征值

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Μίν. Τύπος. Μέγιστος.

 

Μονάδες

 

集电极- εκπομπή 极?? και ηλεκτρική τάση

Συλλέκτης-εκδότης στάση διαμόρφωσης

 

VCE(έμεινε)

 

Εγώ...Γ=75,VΓενικά=15V

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V

V

V

 

Δύναμη ρεύματος

Οριακό όριο πύληςτάση

 

VΓΕ (η)

 

Εγώ...Γ=3mA, VCE= VΓενικά, Τvj= 25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V

 

∆ιεθνής

Πύλη χρέωση

 

 

QG

 

VΓενικά=-15V...+15V

 

0.47

 

uC

 

εσωτερική ρητή ηλεκτρική αντίσταση

Εσωτερική πύλη αντίσταση

 

RΓύμνος

 

Τvj= 25°C

 

10.8

 

Ω

 

εισερχόμενη χωρητικότητα

Περιορισμός εισόδουακετανία

 

 

Γε

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VΓενικά=0V

 

5.03

 

nF

 

Αντίστροφη ισχύ μεταφοράς

Αντίστροφη στροφήχωρητικότητα σφαίρας

 

Γα

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VΓενικά=0V

 

0.18

 

 

nF

 

集电极- Εκτόξευση 截止电流

Συλλέκτης-εκδότης cut-off ρεύμα

 

Εγώ...CES

 

VCE=1700V, VΓενικά=0V, Tvj=25°C

 

3.00

 

mA

 

ἀνέκαμψη- Ρίχτης ρύπανσης

Εκδότης πύλης διαρροή ρεύμα

 

Εγώ...ΓΕΣ

 

VCE=0V, VΓενικά=20V, Tvj= 25°C

 

400

 

 

 

开通延迟时间 (Ανοίξτε την αναβολή)( ηλεκτρικό φορτίο)

Ενεργοποίηση χρόνος καθυστέρησης, επαγωγική φορτίο

 

 

td(σε)

 

 

 

 

 

 

 

Εγώ...Γ=75A, VCE=900V

VΓενικά=±15V

RΓκόν= 6,6Ω

RΓκοφ.= 6,6Ω

 

Ενσωματωτικό Λοάδ,

 

Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C Τvj= 25°C Τvj= 125°C Τvj= 150°C

 

174

184

 

188

 

σ

σ

σ

 

Εύξηση χρόνου( ηλεκτρικό φορτίο)

Ώρα να σηκωθούμε. επαγωγική φορτίο

 

tr

 

80

83

 

81

 

σ

σ

σ

 

关断延迟时间 (Καταλείψτε την καθυστέρηση)( ηλεκτρικό φορτίο)

Διάλειψηη ώρα της εκτόξευσης, επαγωγική φορτίο

 

td(Κλείσε)

 

319

380

 

401

 

σ

σ

σ

 

Κατώτερος χρόνος( ηλεκτρικό φορτίο)

Το φθινόπωρο. επαγωγική φορτίο

 

tf

 

310

562

 

596

 

σ

σ

σ

 

开通 损耗能量(Κάθε παλμός)

Ενεργοποίηση ενέργεια απώλεια κατά που- Ναι.

 

 

Εσε

 

24.7

27.6

28.4

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (Κατακόμιση της ενέργειας)(Κάθε παλμός)

Ενέργεια απενεργοποίησης απώλεια κατά σφυγμό

 

ΕΚλείσε

 

10.9

16.1

17.5

 

mJ

mJ

 

σύντομος δρόμος

SC δεδομένα

 

Εγώ...SC

 

VΓενικά≤ 15V, VCC=1000V

VCEmax= VCES-Τι;sCE·di/dt, tp=10μs, Tvj= 150°C

 

 

240

 

Α

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

 

 

RτοJC

 

 

Κατά IGBT / Ο καθένας.IGBT

 

 

0.28 Κ/Δ

 

εργασιακή θερμοκρασία

Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις

 

Τvjop

 

 

-40 150 °C

 

Διοδή, μετατροπέας/ 二极管, αναστροφικός μετασχηματιστής

Μέγιστο Αξίες ονομαστικής αξίας/ μέγιστη μέγιστη τιμή

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία Μονάδες

 

Αντίστροφη επανάληψη κορυφαίας τάσης

Πύργος επαναλαμβανόμενο αντίστροφη τάσηε

 

 

VΕπενδύσεις

 

 

Τvj= 25°C

 

1700 V

 

συνεχής κατευθυνόμενη άμεση ροή ηλεκτρική ροή

Συνεχή DC γιαρεύμα του τμήματος

 

 

Εγώ...F

 

 

75 Α

 

Ηλεκτρικό ρεύμα κορυφής

Πύργος επαναλαμβανόμενο ρεύμα προς τα εμπρός

 

Εγώ...Επενδύσεις

 

 

tp=1 ms

 

150 Α

 

ΧαρακτήραςΔοκιμαστική/ 特征值

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

- Μίνι. Τύπος. Μέγιστο. Μονάδες

 

Δίπλωμα ηλεκτρικής τάσης

Προχωρημένη τάση

 

 

VF

 

Εγώ...F=75A

 

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V

V

V

 

Αντίστροφη ανάκτηση κορυφαίας ηλεκτρικής ροής

 

Πύργος Αντίστροφη ανάκτηση γχρέος

 

Εγώ...RM

 

 

Εγώ...F=75A

-Ναι.F/dtΚλείσε=1100A/μs

VR = 900 V

 

VΓενικά=-15V

 

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

 

85

101

 

108

 

Α

Α

Α

 

恢复电荷 επαναφορά ηλεκτρισμού

Τέλος είσπραξης

 

Qr

 

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

Αντίστροφη απώλεια αποκατάστασης

Πίσω ανάκτηση ενέργεια (ανά σφυγμό)

 

ΕRec

 

Τvj= 25°C

Τvj= 125°C

Τvj= 150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Θερμικό αντίσταση,Επικαιροποίηση περίπτωση

 

RτοJC

 

ανά διόδη/ Κάθε διωχτήρα

 

0.48 Κ/Δ

 

εργασιακή θερμοκρασία

Θερμοκρασία καιΕναλλαγή Προϋποθέσεις

 

 

Τvjop

 

 

 

-40 150 °C

 

 

Μοντέλο / 模块

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

Αξία

 

Μονάδα

σ

 

绝缘 δοκιμαστική τάση

Απομόνωσητάση δοκιμής

 

VΙΣΟΛ

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Υλικό Μονάδα Πλακέτα βάσης

   

 

Κου

 

 

Εσωτερική απομόνωση

Εσωτερικό απομόνωση

 

 

基本绝缘(κατηγορία 1, Εγώ...ΕΟΚ 61140)

Βασικό μόνωση (κατηγορία 1, ΔΕΠ 61140)

 

Αλ2Ο3

 

 

爬电距离

Κρίπτιγκ disΤανς

 

 

端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

 

17

 

20

 

 

χμ

 

ηλεκτρικός χώρος

Αδειοδότηση

 

 

端子-散热片/ τερματικό to θέρμανση

端子-端子/ τερματικό προς τερματικόμινάλ

 

17

9.5

 

 

χμ

 

Σχετικό δείκτη ηλεκτρικών σημάτων

Συγκριτική παρακολούθηση δείκτη

 

ΚΤΠ

 

 

> 200

 

 

 

Άρθρο

 

Σύμβολο

 

Προϋποθέσεις

 

- Μίνι.

 

Τύπος.

 

Μαξ. Μαξ.

 

Μονάδες

 

杂散电感,模块 Ηλεκτρική αίσθηση διαχωρισμού

Αγνοούμενος επαγωγικότητα Μονάδα

 

ΑsCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子 (Μοντέλο κινητήρα)-Τσιπ

 

Μονάδα Σημείωση: Αντίσταση ,Τερματικά-Γισχίο

 

RCC+EE

RΑΑ+ΚΚ

   

 

 

0.65

 

 

 

 

θερμοκρασία αποθήκευσης

 

Αποθήκευσηδιαμέρισμα

 

Τστγ

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

Μοντέλο εγκατάστασης της εγκατάστασης στροφή απόσταση

Δρόμος τοποθέτησηςπου για Μονάδα τοποθέτηση

 

 

Μ

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Νμ

 

端子联接 στροφή απόσταση

Σύνδεση τερματικού σταθμούn ροπή

 

Μ

 

Επενδύσεις

 

3.00

 

 

5.00

 

Νμ

 

Βάρος

 

Βάρος

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

Χαρακτηριστικό εξόδου IGBT, Inverter (τυπικό) Χαρακτηριστικό εξόδου IGBT, Inverter (τυπικό)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

Η θερμοκρασία του θερμοκηπίου πρέπει να είναι χαμηλότερη από τη θερμοκρασία του θερμοκηπίου.

 

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1

                                                                                        

                                                                                               

IGBT IGBT

Χαρακτηριστικό μεταφοράς IGBT, Inverter (τυπικός) Απώλειες διακόπτη IGBT, Inverter (τυπικός)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

Δοκιμαστική ισχύς

 

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 2

 

 

IGBT IGBT

Απώλειες διακόπτη IGBT, μετατροπέα (τυπική) Απώλειες διακόπτη IGBT, μετατροπέα (τυπική)

Ε=f (RG) Ε=f ((IC)

Επικαιροποιημένα συστήματα ηλεκτρονικής ενέργειας για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας

 

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 3

 

IGBT IGBT

Απώλειες διακόπτη IGBT, Inverter (τυπική) Διαλείπουσα θερμική αντίσταση IGBT, Inverter

Ε=f (RG) ZthJC=f (t)

Διάταξη 1

 

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 4

 

IGBT, RBSOA

Ασφαλής λειτουργική περιοχή IGBT, Inverter (RBSOA) Προχωρητικό χαρακτηριστικό της διόδου, Inverter (τυπικό)

Εγώ...Γ=f(VCE)Εγώ...F=f(VF)

VΓενικά=±15V, RΓκοφ.=6,6Ω, Tvj=150°C

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 5

 

 

 

Απώλειες διακόπτη Δίοδος, μετατροπέας (τυπική) Απώλειες διακόπτη Δίοδος, μετατροπέας (τυπική)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

Δοκιμαστική ισχύς

 

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 6

 

 

Δίοδος μεταβατικής θερμικής αντίστασης, μετατροπέας

Δοκιμαστική μονάδα

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 7

 

 

Ένα "1700V IGBT" είναι ένα διπολικό τρανζίστορ με μονωμένη πύλη ικανό να χειρίζεται μέγιστη τάση 1700 βολτ. Χρησιμοποιείται σε εφαρμογές που απαιτούν τη διαχείριση υψηλότερων επιπέδων τάσης,όπως μετατροπείς υψηλής ισχύοςΓια να επιτευχθεί η βέλτιστη απόδοση, είναι απαραίτητο να υπάρχουν κατάλληλα κυκλώματα ψύξης και κίνησης πύλης.

 

 

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 8

Κύκλος διάγραμμα τίτλος 

 

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 9

 

 

 

 

 

Πακέτο περιγράμματα 

 

1700V 75A H γέφυρα IGBT μονάδα DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 10